掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201980034268.8
申请日
2019-05-08
公开(公告)号
CN112166376A
公开(公告)日
2021-01-01
发明(设计)人
宍户博明 前田仁 桥本雅广
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
G03F132
IPC分类号
G03F720
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
王利波
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法及半导体器件的制造方法 [P]. 
前田仁 ;
野泽顺 .
日本专利 :CN113242995B ,2024-07-16
[2]
掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法及半导体器件的制造方法 [P]. 
野泽顺 ;
穐山圭司 .
日本专利 :CN115769144B ,2025-08-05
[3]
掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 [P]. 
前田仁 ;
宍户博明 ;
桥本雅广 .
中国专利 :CN112189167A ,2021-01-05
[4]
掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 [P]. 
宍戸博明 ;
前田仁 .
中国专利 :CN114521245A ,2022-05-20
[5]
掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 [P]. 
前田仁 ;
野泽顺 .
中国专利 :CN113242995A ,2021-08-10
[6]
掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 [P]. 
前田仁 ;
野泽顺 .
中国专利 :CN114245880A ,2022-03-25
[7]
掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 [P]. 
前田仁 ;
宍户博明 ;
桥本雅广 .
日本专利 :CN112189167B ,2024-05-03
[8]
掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 [P]. 
前田仁 ;
野泽顺 .
日本专利 :CN114245880B ,2024-05-14
[9]
掩模坯料、相移掩模及制造方法、半导体器件的制造方法 [P]. 
野泽顺 ;
堀込康隆 ;
前田仁 .
中国专利 :CN111344633B ,2020-06-26
[10]
掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 [P]. 
桥本雅广 ;
宍户博明 .
中国专利 :CN110770652A ,2020-02-07