一种纳米钛酸铋水基流延浆料及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510112112.7

申请日：

2005-12-27

公开(公告)号：

CN1803709A

公开(公告)日：

2006-07-19

发明(设计)人：

阚艳梅王佩玲张国军

申请人：

申请人地址：

200050上海市定西路1295号

IPC主分类号：

C04B35475

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

上海智信专利代理有限公司

代理人：

潘振甦

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-07-19	公开	公开
2006-09-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-11-07	授权	授权
2012-03-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101197730202 IPC(主分类):C04B 35/475 专利号:ZL2005101121127 申请日:20051227 授权公告日:20071107 终止日期:20101227

共 50 条

[1]

一种非水基流延浆料及其制备方法 [P].

郑宏宇 ;

金华江 ;

任才华 ;

张炳渠 ;

石鹏远 ;

吴亚光 ;

张金利 .

中国专利 :CN102503444B ,2012-06-20

[2]

一种钛酸铋钠基织构化压电陶瓷水基流延浆料及其陶瓷膜片的制备方法 [P].

李月明 ;

谢俊 ;

洪燕 ;

谢志翔 ;

王竹梅 ;

欧尚瑶 .

中国专利 :CN103360060B ,2013-10-23

[3]

一种水基流延陶瓷制备方法、浆料以及陶瓷 [P].

付文浩 ;

臧佳栋 .

中国专利 :CN118619686A ,2024-09-10

[4]

水基流延浆料、水基流延湿法制备多层片式元器件方法 [P].

周正有 ;

丁晓鸿 ;

李建辉 ;

胡彩波 ;

朱建华 ;

肖倩 ;

周俊 .

中国专利 :CN102757217B ,2012-10-31

[5]

一种氮化硅非水基流延浆料及其制备方法 [P].

张联盟 ;

陈斐 ;

李君 ;

张东明 ;

沈强 ;

王传彬 .

中国专利 :CN1962545A ,2007-05-16

[6]

一种水基流延浆料及水基流延制备磁电复合陶瓷薄片的方法 [P].

刘胜 ;

颜铄清 ;

贺君 ;

高平平 .

中国专利 :CN117362025A ,2024-01-09

[7]

一种水基流延浆料及水基流延制备磁电复合陶瓷薄片的方法 [P].

刘胜 ;

颜铄清 ;

贺君 ;

高平平 .

中国专利 :CN117362025B ,2025-10-21

[8]

一种碳化硼的水基流延浆料及其制备和应用 [P].

吕志翚 ;

江东亮 ;

张景贤 ;

林庆玲 ;

黄政仁 .

中国专利 :CN102311267B ,2012-01-11

[9]

一种NFC磁芯用水基流延浆料及制备方法、NFC磁芯及其制备方法 [P].

刘梦辉 ;

向其军 ;

陈大军 .

中国专利 :CN104446518A ,2015-03-25

[10]

一种SiC的水基流延制备方法 [P].

范桂芬 ;

郝孟猛 ;

王晓川 ;

梁飞 ;

史玉升 ;

李晨辉 ;

周静怡 ;

王为 .

中国专利 :CN107602129A ,2018-01-19

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