半导体晶片的单片式单面研磨方法及半导体晶片的单片式单面研磨装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580076898.3

申请日：

2015-10-06

公开(公告)号：

CN107431006A

公开(公告)日：

2017-12-01

发明(设计)人：

川崎智宪

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

B24B3730

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

李婷;刘林华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-01	公开	公开
2020-10-09	授权	授权
2017-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/304 申请日:20151006

共 50 条

[1]

半导体晶片研磨装置和半导体晶片研磨方法 [P].

久保亨 .

中国专利 :CN1978136B ,2007-06-13

[2]

半导体晶片的研磨方法及研磨装置 [P].

山下健儿 .

中国专利 :CN105474367A ,2016-04-06

[3]

半导体晶片的研磨方法及半导体晶片 [P].

桥本大辅 ;

又川敏 ;

桥井友裕 .

中国专利 :CN109643650A ,2019-04-16

[4]

半导体晶片的研磨装置 [P].

川原龙之介 ;

关直树 ;

久保武之 .

中国专利 :CN114905402A ,2022-08-16

[5]

往研磨装置移交半导体晶片的方法及半导体晶片的制造方法 [P].

寺川良也 .

中国专利 :CN114846583A ,2022-08-02

[6]

半导体晶片的研磨方法 [P].

寺川良也 ;

青木健司 .

中国专利 :CN102574266A ,2012-07-11

[7]

研磨半导体晶片的方法 [P].

J·容格 ;

R·魏斯 .

中国专利 :CN101337336A ,2009-01-07

[8]

半导体晶片背面研磨方法 [P].

福田和哉 ;

森俊 .

中国专利 :CN1509495A ,2004-06-30

[9]

半导体晶片周缘的研磨装置及方法 [P].

高桥圭瑞 ;

伊藤贤也 ;

白樫充彦 ;

井上和之 ;

山口健二 ;

关正也 ;

佐藤觉 ;

渡边淳 ;

加藤健二 ;

田村淳 ;

浅川荘一 .

中国专利 :CN100550314C ,2008-04-16

[10]

研磨头、研磨装置和半导体晶片的制造方法 [P].

寺川良也 ;

太田广树 .

日本专利 :CN117413351A ,2024-01-16

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