Ⅲ族氮化物HEMT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110367070.7

申请日：

2011-11-18

公开(公告)号：

CN102420247B

公开(公告)日：

2012-04-18

发明(设计)人：

蔡勇于国浩董志华王越张宝顺

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2978 H01L29423

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-04-18	公开	公开
2012-05-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101256118095 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2011103670707 申请日:20111118
2021-10-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20111118 授权公告日:20131030 终止日期:20201118
2013-10-30	授权	授权

共 50 条

[1]

Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件 [P].

蔡勇 ;

于国浩 ;

董志华 ;

王越 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN102427085A ,2012-04-25

[2]

Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件 [P].

张志利 ;

蔡勇 ;

张宝顺 ;

付凯 ;

于国浩 ;

孙世闯 ;

宋亮 .

中国专利 :CN106158949A ,2016-11-23

[3]

Ⅲ族氮化物MISHEMT器件 [P].

蔡勇 ;

于国浩 ;

董志华 ;

王越 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN102403349A ,2012-04-04

[4]

新型双栅三端Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件 [P].

于国浩 ;

蔡勇 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN102856371A ,2013-01-02

[5]

Ⅲ族氮化物增强型MISHEMT器件 [P].

蔡勇 ;

于国浩 ;

董志华 ;

王越 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN102427086B ,2012-04-25

[6]

双栅四端III族氮化物增强型HEMT器件的封装结构 [P].

于国浩 ;

蔡勇 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN102856372B ,2013-01-02

[7]

Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制造方法 [P].

宁殿华 ;

蒋胜 ;

柳永胜 ;

程新 .

中国专利 :CN113628962A ,2021-11-09

[8]

Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制造方法 [P].

宁殿华 ;

蒋胜 ;

柳永胜 ;

程新 .

中国专利 :CN113594036B ,2025-01-07

[9]

Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制造方法 [P].

宁殿华 ;

蒋胜 ;

柳永胜 ;

程新 .

中国专利 :CN113628963A ,2021-11-09

[10]

Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制造方法 [P].

宁殿华 ;

蒋胜 ;

柳永胜 ;

程新 .

中国专利 :CN113628963B ,2024-03-08

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