一种预测激光选区熔化单熔道成型缺陷的数值模拟方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010121568.4
申请日
2020-02-26
公开(公告)号
CN111222256A
公开(公告)日
2020-06-02
发明(设计)人
田华 曹志伟 辛毅 蔡养川 韩俭
申请人
申请人地址
300384 天津市西青区宾水西道391号
IPC主分类号
G06F3020
IPC分类号
B22F3105 G06F11110
代理机构
天津企兴智财知识产权代理有限公司 12226
代理人
陈雅洁
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
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