一种高分散纳米二氧化硅的制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN02149782.6
申请日
2002-12-30
公开(公告)号
CN1422805A
公开(公告)日
2003-06-11
发明(设计)人
段先健 王跃林 杨本意 李亚静
申请人
申请人地址
510510广东省广州市沙太南路623号
IPC主分类号
C01B3312
IPC分类号
C01B3318 C01B1314
代理机构
广州知友专利代理有限公司
代理人
李海波
法律状态
专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
国省代码
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共 50 条
[1]
高分散纳米二氧化硅的制备方法 [P]. 
王玉军 ;
骆广生 ;
张田 .
中国专利 :CN104058415A ,2014-09-24
[2]
一种尺寸可控的纳米二氧化硅的制备方法 [P]. 
王跃林 ;
杨本意 ;
张平 ;
邹军辉 ;
段先健 .
中国专利 :CN1546373A ,2004-11-17
[3]
一种高分散纳米二氧化硅的制备方法 [P]. 
赖南君 ;
李诗涛 ;
唐雷 ;
郭欣 ;
周宁 ;
李屹洋 ;
叶仲斌 .
中国专利 :CN105000567A ,2015-10-28
[4]
单分散纳米球形二氧化硅的制备方法及纳米二氧化硅 [P]. 
熊仕显 ;
蒋绪川 ;
余艾冰 .
中国专利 :CN104211073A ,2014-12-17
[5]
一种高分散性纳米二氧化硅及其制备方法 [P]. 
陈淑英 ;
杨浩泽 ;
梁伟虹 ;
邱煌庆 .
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[6]
一种分散纳米二氧化硅的制备方法 [P]. 
杨万亮 ;
曹锐 ;
李东霖 ;
姚宇龙 ;
张宇 .
中国专利 :CN117185305B ,2025-11-11
[7]
一种高分散性纳米二氧化硅的制备方法 [P]. 
徐进 ;
徐勇 ;
王传荣 .
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[8]
一种高分散性纳米二氧化硅的制备方法 [P]. 
王志胜 .
中国专利 :CN110498892A ,2019-11-26
[9]
纳米二氧化硅制备方法 [P]. 
任天斌 ;
肖国权 ;
韩宇 .
中国专利 :CN103897436A ,2014-07-02
[10]
制备改性纳米二氧化硅的方法 [P]. 
朱美芳 ;
张青红 ;
姜永梅 ;
朱树琦 ;
吴杰 ;
任怀银 .
中国专利 :CN101525501A ,2009-09-09