非易失性半导体存储器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680046853.2

申请日：

2006-11-01

公开(公告)号：

CN101331553B

公开(公告)日：

2008-12-24

发明(设计)人：

森本英德

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

G11C1300

IPC分类号：

G11C1714

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

王岳;陈景峻

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-12-24	公开	公开
2012-07-18	授权	授权
2020-10-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 13/00 申请日:20061101 授权公告日:20120718 终止日期:20191101
2009-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

非易失性半导体存储器件 [P].

三角贤治 ;

藤原淳 ;

松浦正则 ;

西本敏夫 .

中国专利 :CN100557712C ,2004-11-03

[2]

非易失性半导体存储器件 [P].

永嵨宏行 ;

久保光一 ;

福田康之 .

中国专利 :CN101828235B ,2010-09-08

[3]

非易失性半导体存储器件 [P].

三谷秀德 .

中国专利 :CN1518003A ,2004-08-04

[4]

非易失性半导体存储器件 [P].

岩田佳久 .

中国专利 :CN101911205A ,2010-12-08

[5]

非易失性半导体存储器件 [P].

小岛诚 ;

圆山敬史 .

中国专利 :CN100520975C ,2005-08-24

[6]

非易失性半导体存储器件 [P].

细野浩司 .

中国专利 :CN103119656A ,2013-05-22

[7]

非易失性半导体存储器件 [P].

河合贤 ;

东亮太郎 ;

川原昭文 ;

诹访仁史 ;

春山星秀 .

中国专利 :CN1975931A ,2007-06-06

[8]

非易失性半导体存储器件 [P].

小畑弘之 .

中国专利 :CN1229250A ,1999-09-22

[9]

非易失性半导体存储器件 [P].

菅原宽 .

中国专利 :CN101097779A ,2008-01-02

[10]

非易失性半导体存储器件 [P].

永嵨宏行 ;

井上裕文 ;

户田春希 .

中国专利 :CN101828236B ,2010-09-08

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