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真空压力传感器
被引:0
专利类型
:
外观设计
申请号
:
CN201630102249.3
申请日
:
2016-03-31
公开(公告)号
:
CN303770636S
公开(公告)日
:
2016-08-03
发明(设计)人
:
郑云
朱宗恒
孙拓夫
侯勇
申请人
:
申请人地址
:
241009 安徽省芜湖市经济技术开发区衡山路35号汽车电子创业园A座8楼
IPC主分类号
:
1005
IPC分类号
:
代理机构
:
芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107
代理人
:
项磊
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2016-08-03
授权
授权
2020-03-17
专利权的终止
未缴年费专利权终止 主分类号:10-05 申请日:20160331 授权公告日:20160803 终止日期:20190331
共 50 条
[1]
真空压力传感器
[P].
徐振华
论文数:
0
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0
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0
徐振华
;
王兴亮
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0
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王兴亮
.
中国专利
:CN302708964S
,2014-01-08
[2]
真空压力传感器(DP03C)
[P].
王涛
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0
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0
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0
王涛
.
中国专利
:CN304283529S
,2017-09-15
[3]
真空压力传感器
[P].
张莹莹
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0
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0
张莹莹
;
周星达
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周星达
;
王宝珠
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王宝珠
;
郑冠宇
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郑冠宇
.
中国专利
:CN209197986U
,2019-08-02
[4]
真空压力传感器
[P].
维雷什·希瓦普拉喀什·亚加蒂
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0
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机构:
霍尼韦尔国际公司
霍尼韦尔国际公司
维雷什·希瓦普拉喀什·亚加蒂
;
纳文·库马尔·MN
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0
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0
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0
机构:
霍尼韦尔国际公司
霍尼韦尔国际公司
纳文·库马尔·MN
.
美国专利
:CN121185503A
,2025-12-23
[5]
真空度压力传感器
[P].
王小平
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机构:
武汉飞恩微电子有限公司
武汉飞恩微电子有限公司
王小平
;
曹万
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机构:
武汉飞恩微电子有限公司
武汉飞恩微电子有限公司
曹万
;
杨军
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机构:
武汉飞恩微电子有限公司
武汉飞恩微电子有限公司
杨军
;
梁世豪
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机构:
武汉飞恩微电子有限公司
武汉飞恩微电子有限公司
梁世豪
;
石建
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机构:
武汉飞恩微电子有限公司
武汉飞恩微电子有限公司
石建
.
中国专利
:CN309075391S
,2025-01-17
[6]
压力传感器
[P].
张燕斌
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机构:
陕西君研科技有限公司
陕西君研科技有限公司
张燕斌
;
成祥
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机构:
陕西君研科技有限公司
陕西君研科技有限公司
成祥
;
石宝玉
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机构:
陕西君研科技有限公司
陕西君研科技有限公司
石宝玉
.
中国专利
:CN309318090S
,2025-06-03
[7]
真空发生器(压力传感器)
[P].
林伟斌
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林伟斌
;
李俊杰
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李俊杰
.
中国专利
:CN305046448S
,2019-02-22
[8]
压力传感器及真空度传感器
[P].
王小平
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0
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机构:
武汉飞恩微电子有限公司
武汉飞恩微电子有限公司
王小平
;
曹万
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机构:
武汉飞恩微电子有限公司
武汉飞恩微电子有限公司
曹万
;
杨军
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机构:
武汉飞恩微电子有限公司
武汉飞恩微电子有限公司
杨军
;
梁世豪
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机构:
武汉飞恩微电子有限公司
武汉飞恩微电子有限公司
梁世豪
;
石建
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机构:
武汉飞恩微电子有限公司
武汉飞恩微电子有限公司
石建
.
中国专利
:CN118730386A
,2024-10-01
[9]
压力传感器
[P].
张莹莹
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张莹莹
;
周星达
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周星达
;
格哈德·布兰德尔
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格哈德·布兰德尔
;
卢兹·海涅
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卢兹·海涅
;
赫尔曼·莱德勒
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0
赫尔曼·莱德勒
.
中国专利
:CN306891406S
,2021-10-22
[10]
压力传感器
[P].
飞田美帆
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飞田美帆
;
小野塚准二
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小野塚准二
;
小贯洋
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小贯洋
;
久保淳
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久保淳
.
中国专利
:CN302288832S
,2013-01-16
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