常关型沟道调制器件及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111152886.8
申请日
2021-09-29
公开(公告)号
CN113871480A
公开(公告)日
2021-12-31
发明(设计)人
毛维 裴晨 杨翠 杜鸣 马佩军 张鹏 张进成 郝跃
申请人
申请人地址
710071 陕西省西安市太白南路2号
IPC主分类号
H01L29778
IPC分类号
H01L29417 H01L21335
代理机构
陕西电子工业专利中心 61205
代理人
王品华
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
常关型氮化镓基器件及其制作方法 [P]. 
毛维 ;
王海永 ;
杨翠 ;
郝跃 .
中国专利 :CN111863952A ,2020-10-30
[2]
纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法 [P]. 
刘扬 ;
杨帆 ;
张佰君 .
中国专利 :CN102332469A ,2012-01-25
[3]
调制器及其制作方法 [P]. 
刘佳 ;
周佩奇 ;
陈冲 ;
周子涵 ;
刘晔 ;
刘阳 ;
刘敏 ;
陈代高 ;
肖希 .
中国专利 :CN117518535A ,2024-02-06
[4]
调制器及其制作方法 [P]. 
胡晓 ;
刘阳 ;
刘晔 ;
刘佳 ;
肖希 ;
陈代高 ;
王磊 .
中国专利 :CN115421322B ,2024-10-11
[5]
调制器及其制作方法 [P]. 
胡晓 ;
刘阳 ;
刘晔 ;
刘佳 ;
肖希 ;
陈代高 ;
王磊 .
中国专利 :CN115421322A ,2022-12-02
[6]
双向耐压单向导通功率开关器件及其制作方法 [P]. 
毛维 ;
裴晨 ;
杨翠 ;
杜鸣 ;
马佩军 ;
张涛 ;
张苇杭 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN114944391B ,2025-07-29
[7]
双向耐压单向导通功率开关器件及其制作方法 [P]. 
毛维 ;
裴晨 ;
杨翠 ;
杜鸣 ;
马佩军 ;
张涛 ;
张苇杭 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN114944391A ,2022-08-26
[8]
弯折型电光调制器及其制作方法 [P]. 
熊兵 ;
刘学成 ;
罗毅 ;
孙长征 ;
郝智彪 .
中国专利 :CN113867014B ,2021-12-31
[9]
波导型电光调制器及其制作方法 [P]. 
熊兵 ;
李进 ;
赵湘楠 ;
孙长征 ;
罗毅 .
中国专利 :CN103605218B ,2014-02-26
[10]
异质结功率器件及其制作方法 [P]. 
毛维 ;
刘晓雨 ;
杨翠 ;
杜鸣 ;
高北鸾 ;
王海永 ;
马佩军 ;
赵胜雷 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN112768505B ,2021-05-07