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常关型沟道调制器件及其制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202111152886.8
申请日
:
2021-09-29
公开(公告)号
:
CN113871480A
公开(公告)日
:
2021-12-31
发明(设计)人
:
毛维
裴晨
杨翠
杜鸣
马佩军
张鹏
张进成
郝跃
申请人
:
申请人地址
:
710071 陕西省西安市太白南路2号
IPC主分类号
:
H01L29778
IPC分类号
:
H01L29417
H01L21335
代理机构
:
陕西电子工业专利中心 61205
代理人
:
王品华
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-01-21
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20210929
2021-12-31
公开
公开
共 50 条
[1]
常关型氮化镓基器件及其制作方法
[P].
毛维
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毛维
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王海永
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王海永
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杨翠
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杨翠
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郝跃
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郝跃
.
中国专利
:CN111863952A
,2020-10-30
[2]
纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法
[P].
刘扬
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刘扬
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杨帆
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杨帆
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张佰君
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张佰君
.
中国专利
:CN102332469A
,2012-01-25
[3]
调制器及其制作方法
[P].
刘佳
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武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
刘佳
;
周佩奇
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武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
周佩奇
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陈冲
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武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
陈冲
;
周子涵
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武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
周子涵
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刘晔
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武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
刘晔
;
刘阳
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武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
刘阳
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刘敏
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武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
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刘敏
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陈代高
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武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
陈代高
;
肖希
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武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
肖希
.
中国专利
:CN117518535A
,2024-02-06
[4]
调制器及其制作方法
[P].
胡晓
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武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
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胡晓
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刘阳
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武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
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刘阳
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刘晔
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武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
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刘晔
;
刘佳
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武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
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刘佳
;
肖希
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武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
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肖希
;
陈代高
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武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
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陈代高
;
王磊
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武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
王磊
.
中国专利
:CN115421322B
,2024-10-11
[5]
调制器及其制作方法
[P].
胡晓
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胡晓
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刘阳
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刘阳
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刘晔
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刘佳
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刘佳
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肖希
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肖希
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陈代高
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陈代高
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王磊
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王磊
.
中国专利
:CN115421322A
,2022-12-02
[6]
双向耐压单向导通功率开关器件及其制作方法
[P].
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机构:
毛维
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裴晨
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机构:
西安电子科技大学
西安电子科技大学
裴晨
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杨翠
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杜鸣
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马佩军
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张涛
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张苇杭
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张进成
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郝跃
.
中国专利
:CN114944391B
,2025-07-29
[7]
双向耐压单向导通功率开关器件及其制作方法
[P].
毛维
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毛维
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裴晨
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裴晨
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杨翠
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杨翠
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杜鸣
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杜鸣
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马佩军
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张涛
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张涛
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张苇杭
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张进成
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张进成
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郝跃
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郝跃
.
中国专利
:CN114944391A
,2022-08-26
[8]
弯折型电光调制器及其制作方法
[P].
熊兵
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熊兵
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刘学成
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刘学成
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罗毅
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罗毅
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孙长征
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孙长征
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郝智彪
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郝智彪
.
中国专利
:CN113867014B
,2021-12-31
[9]
波导型电光调制器及其制作方法
[P].
熊兵
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熊兵
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李进
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李进
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赵湘楠
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赵湘楠
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孙长征
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孙长征
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罗毅
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罗毅
.
中国专利
:CN103605218B
,2014-02-26
[10]
异质结功率器件及其制作方法
[P].
毛维
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毛维
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刘晓雨
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刘晓雨
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杨翠
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杜鸣
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高北鸾
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高北鸾
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王海永
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王海永
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马佩军
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赵胜雷
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郝跃
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中国专利
:CN112768505B
,2021-05-07
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