一种利用本体二硫化钼制备具有LSPR效应的非晶氧化钼量子点的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711084706.0

申请日：

2017-11-07

公开(公告)号：

CN107601566B

公开(公告)日：

2018-01-19

发明(设计)人：

许群李浩

申请人：

申请人地址：

450001 河南省郑州市高新技术开发区科学大道100号

IPC主分类号：

C01G3902

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

郑州豫开专利代理事务所(普通合伙) 41131

代理人：

张智伟

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-31	授权	授权
2018-02-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 39/02 申请日:20171107
2018-01-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种金属钼原子掺杂本体氧化钼制备具有LSPR效应的非晶氧化钼纳米片的方法 [P].

许群 ;

郭仓 .

中国专利 :CN109970103B ,2019-07-05

[2]

一种利用氧化少层硫化钼制备非晶氧化钼纳米片的方法 [P].

许群 ;

刘威 .

中国专利 :CN106745262A ,2017-05-31

[3]

一种三氧化钼和二硫化钼复合材料的制备方法 [P].

杨蓉 ;

炼铮 ;

韩秋森 ;

王田 ;

王琛 .

中国专利 :CN105854901A ,2016-08-17

[4]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

刘新科 ;

何佳铸 ;

吕有明 ;

韩舜 ;

曹培江 ;

柳文军 ;

曾玉祥 ;

贾芳 ;

朱德亮 .

中国专利 :CN104947070A ,2015-09-30

[5]

一种单层二硫化钼的制备方法 [P].

何大伟 ;

董艳芳 ;

何家琪 ;

赵思淇 ;

王永生 .

中国专利 :CN106835073A ,2017-06-13

[6]

一种二硫化钼薄膜的制备方法 [P].

赵士超 ;

翁嘉鑫 ;

吕燕飞 ;

金圣忠 .

中国专利 :CN108588673A ,2018-09-28

[7]

一种氧化钼/二硫化钼核壳微球的制备方法 [P].

魏取福 ;

侯雪斌 ;

蔡以兵 ;

黄锋林 .

中国专利 :CN109745929B ,2019-05-14

[8]

重复利用三氧化钼制备单层二硫化钼薄膜的方法 [P].

陈波 .

中国专利 :CN107385508A ,2017-11-24

[9]

一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 [P].

高庆国 ;

陈思敏 ;

陈滤成 ;

许哲铨 ;

张崇富 ;

潘新建 ;

于淼 ;

陈又鲜 .

中国专利 :CN115058700A ,2022-09-16

[10]

一种二硫化钼量子点的制备方法 [P].

汪远昊 ;

宋驁天 ;

王世锋 ;

乔宝伟 ;

林仕洲 .

中国专利 :CN107384390A ,2017-11-24

← 1 2 3 4 5 →