半导体器件、半导体器件模块及半导体器件模块制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910141500.6

申请日：

2009-05-22

公开(公告)号：

CN101587885B

公开(公告)日：

2009-11-25

发明(设计)人：

青木大

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2500

IPC分类号：

H01L2348 H01L2352 H01L2150 H01L2160

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

李辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101083115780 IPC(主分类):H01L 25/00 专利申请号:2009101415006 申请日:20090522
2017-07-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101734159259 IPC(主分类):H01L 25/00 专利号:ZL2009101415006 申请日:20090522 授权公告日:20130501 终止日期:20160522
2009-11-25	公开	公开
2013-05-01	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件、半导体器件模块以及半导体器件的制造方法 [P].

野本隆司 ;

米田义之 ;

中村公一 .

中国专利 :CN103390612B ,2013-11-13

[2]

半导体器件、半导体模块以及制造半导体器件和半导体模块的方法 [P].

G.比尔 ;

J.赫格尔 ;

T.施托尔策 .

中国专利 :CN104064529B ,2014-09-24

[3]

半导体器件、制造半导体器件的方法、以及半导体模块 [P].

柳川洋 ;

中柴康隆 ;

森和久 ;

长谷川浩一 .

日本专利 :CN118352236A ,2024-07-16

[4]

半导体器件、半导体模块及半导体模块的制造方法 [P].

山中登志弘 ;

塚本博之 ;

岸本清治 .

中国专利 :CN1945822B ,2007-04-11

[5]

半导体器件及半导体模块 [P].

北川光彦 .

中国专利 :CN103367333A ,2013-10-23

[6]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

征矢野伸 .

中国专利 :CN103930991A ,2014-07-16

[7]

半导体器件和半导体器件模块 [P].

坂田浩司 ;

田中智典 .

中国专利 :CN1638224A ,2005-07-13

[8]

半导体器件、半导体模块和制造方法 [P].

J·舒德勒 ;

G·塞尔瓦托 ;

F·莫恩 ;

柳春雷 .

:CN118591871A ,2024-09-03

[9]

半导体器件、半导体模块以及制造方法 [P].

山内浩平 ;

望月英司 ;

西泽龙男 ;

岩田英树 ;

西村芳孝 ;

鹢头政和 ;

木口龙雅 .

日本专利 :CN119301761A ,2025-01-10

[10]

半导体器件、半导体模块和制造方法 [P].

J·舒德勒 ;

G·塞尔瓦托 ;

F·莫恩 ;

柳春雷 .

:CN118591871B ,2025-11-18

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