一种MEMS阵列传感器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201922441002.5

申请日：

2019-12-30

公开(公告)号：

CN210862721U

公开(公告)日：

2020-06-26

发明(设计)人：

谷俊涛曲家兴孙恕吴琼李锐

申请人：

申请人地址：

150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区华山路12号

IPC主分类号：

G01D500

IPC分类号：

G01D1100 B81B702 B81B700

代理机构：

哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206

代理人：

高媛

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-26	授权	授权
2022-12-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01D 5/00 申请日:20191230 授权公告日:20200626 终止日期:20211230

共 50 条

[1]

阵列传感器 [P].

原晋治 ;

太田尚城 ;

千里内忠雄 ;

木本裕介 .

日本专利 :CN119967308A ,2025-05-09

[2]

一种红外阵列传感器 [P].

刘美艳 .

中国专利 :CN206638347U ,2017-11-14

[3]

一种阵列传感器 [P].

杜凯铭 .

中国专利 :CN107687893A ,2018-02-13

[4]

热电堆阵列传感器 [P].

孔令成 ;

李壮 .

中国专利 :CN215832866U ,2022-02-15

[5]

一种PVDF超声阵列传感器 [P].

马君鹏 ;

王成亮 ;

亓彦珣 ;

吴晗 ;

刘叙笔 ;

杨贤彪 ;

谢庆 ;

岳贤强 .

中国专利 :CN209117808U ,2019-07-16

[6]

一种光纤光栅阵列传感器 [P].

王汉熙 ;

祁耀斌 ;

程健 ;

胡佳文 ;

王愚佳 .

中国专利 :CN204649334U ,2015-09-16

[7]

红外阵列传感器 [P].

辻幸司 .

中国专利 :CN102378903B ,2012-03-14

[8]

光谱阵列传感器 [P].

罗罡 .

中国专利 :CN2382134Y ,2000-06-07

[9]

超声阵列传感器 [P].

A·格拉赫 .

德国专利 :CN119487417A ,2025-02-18

[10]

一种红外阵列传感器 [P].

周祥东 .

中国专利 :CN204007876U ,2014-12-10

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