半导体装置的制造方法、基板处理装置及基板处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710196168.4

申请日：

2002-08-29

公开(公告)号：

CN101165876A

公开(公告)日：

2008-04-23

发明(设计)人：

村川惠美松下实尾﨑成则

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21318

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2008-04-23	公开	公开
2008-06-18	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序及基板处理装置 [P].

平祐树 .

日本专利 :CN120322852A ,2025-07-15

[2]

半导体装置的制造方法、基板处理方法及基板处理装置 [P].

广濑义朗 ;

佐野敦 ;

柳田和孝 ;

东野桂子 .

中国专利 :CN103165410B ,2013-06-19

[3]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及存储介质 [P].

小川有人 ;

清野笃郎 .

日本专利 :CN118841317A ,2024-10-25

[4]

基板处理方法及基板处理装置、半导体装置的制造方法及半导体制造装置 [P].

宫本泰治 ;

吉田幸史 ;

杉村博之 ;

宇都宫彻 .

日本专利 :CN120917551A ,2025-11-07

[5]

基板处理装置及半导体装置的制造方法 [P].

置田阳一 ;

揖斐恒治 ;

铃木实 ;

立野勇一 .

中国专利 :CN1914714B ,2007-02-14

[6]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置 [P].

奥田和幸 ;

今村友纪 ;

野田孝晓 ;

寺崎昌人 .

日本专利 :CN118556281A ,2024-08-27

[7]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序 [P].

森谷敦 ;

窟田英树 ;

高桥正纮 .

日本专利 :CN119631163A ,2025-03-14

[8]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序及基板处理装置 [P].

长桥知也 ;

陶山渚 ;

江端慎也 ;

野原慎吾 .

日本专利 :CN118414692A ,2024-07-30

[9]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序及基板处理装置 [P].

坪田康寿 ;

岸本宗树 .

日本专利 :CN119343761A ,2025-01-21

[10]

基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序 [P].

照井祐辅 ;

桥本良知 ;

松冈树 ;

长桥知也 .

日本专利 :CN119343760A ,2025-01-21

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