在衬底两侧上的集成电路结构及形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710710407.7

申请日：

2017-08-18

公开(公告)号：

CN107768370A

公开(公告)日：

2018-03-06

发明(设计)人：

I·D·W·梅尔维尔马克塔·G·法罗

申请人：

申请人地址：

英属开曼群岛大开曼岛

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

H01L21822

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司 11314

代理人：

程伟;王锦阳

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-27	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 27/06 登记生效日:20201117 变更事项:申请人变更前权利人:格芯公司变更后权利人:马维尔国际有限公司变更事项:地址变更前权利人:英属开曼群岛大开曼岛变更后权利人:百慕大汉密尔顿
2021-10-15	授权	授权
2020-11-27	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 27/06 登记生效日:20201117 变更事项:申请人变更前权利人:凯威姆国际公司变更后权利人:马维尔亚洲私人有限公司变更事项:地址变更前权利人:英属开曼群岛大开曼岛变更后权利人:新加坡新加坡城
2018-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/06 申请日:20170818
2018-03-06	公开	公开
2020-11-27	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 27/06 登记生效日:20201117 变更事项:申请人变更前权利人:马维尔国际有限公司变更后权利人:凯威姆国际公司变更事项:地址变更前权利人:百慕大汉密尔顿变更后权利人:英属开曼群岛大开曼岛

共 50 条

[1]

形成集成电路结构的方法及相关集成电路结构 [P].

孙磊 ;

王文辉 ;

张洵渊 ;

谢瑞龙 ;

曾伽 ;

朱雪莲 ;

成敏圭 ;

刘绍铭 .

中国专利 :CN108878269A ,2018-11-23

[2]

集成电路结构及其形成方法 [P].

黄天建 ;

沈瑞滨 ;

张智贤 .

中国专利 :CN113571514A ,2021-10-29

[3]

集成电路结构及其形成方法 [P].

柯志欣 ;

万幸仁 .

中国专利 :CN101901766A ,2010-12-01

[4]

集成电路结构及其形成方法 [P].

黄天建 ;

沈瑞滨 ;

张智贤 .

中国专利 :CN113571514B ,2024-04-12

[5]

集成电路结构与其形成方法 [P].

张惠林 ;

卢永诚 ;

章勋明 .

中国专利 :CN101345230B ,2009-01-14

[6]

半导体衬底的形成方法、半导体衬底以及集成电路 [P].

朱慧珑 ;

B·B·多里斯 ;

P·J·欧尔迪吉斯 ;

M·莱昂 ;

杨敏 ;

陈华杰 .

中国专利 :CN100424823C ,2006-09-06

[7]

集成电路结构的形成方法 [P].

吴明园 ;

郑光茗 ;

叶炅翰 ;

庄学理 ;

梁孟松 .

中国专利 :CN101582390A ,2009-11-18

[8]

集成电路结构的形成方法 [P].

黄宏麟 ;

萧景文 ;

许国经 ;

陈承先 .

中国专利 :CN101937853B ,2011-01-05

[9]

集成电路结构的形成方法 [P].

庄礼阳 ;

黄旺骏 ;

蔡庆威 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN112420598A ,2021-02-26

[10]

集成电路结构的形成方法 [P].

吴明园 ;

郑光茗 ;

叶炅翰 ;

庄学理 ;

梁孟松 .

中国专利 :CN103633011A ,2014-03-12

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