基于液相MXene材料的薄膜均匀沉积、高精度图案化及光电器件规模化制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911067484.0

申请日：

2019-11-04

公开(公告)号：

CN112768610A

公开(公告)日：

2021-05-07

发明(设计)人：

孙东明李波朱钱兵崔聪王晓辉

申请人：

申请人地址：

110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号

IPC主分类号：

H01L5148

IPC分类号：

H01L5142

代理机构：

沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234

代理人：

张志伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-07	公开	公开
2021-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/48 申请日:20191104

共 50 条

[1]

一种连续规模化制备透明导电薄膜的装置及制备方法 [P].

郑国强 ;

周兵 ;

蒋成杰 ;

刘宪虎 ;

代坤 ;

刘春太 .

中国专利 :CN106611637A ,2017-05-03

[2]

图案化量子点薄膜的制备方法、光电器件与电子设备 [P].

张昊 ;

付钟 ;

周礼宽 .

中国专利 :CN117835778A ,2024-04-05

[3]

一种高精度图案化聚合物半导体的方法及其在光电器件制作中的应用 [P].

刘云圻 ;

赵志远 ;

郭云龙 ;

刘彦伟 .

中国专利 :CN114388694A ,2022-04-22

[4]

电极薄膜材料、电极薄膜的制备方法及光电器件 [P].

莫易 ;

刘洲 ;

李明昊 ;

晏广元 ;

李文强 ;

易宗锦 ;

王浩 .

中国专利 :CN118678707A ,2024-09-20

[5]

基于二硫化铼/二硒化钨异质结的光电器件及制备方法 [P].

吴章婷 ;

洪锦涛 ;

张阳 ;

郑鹏 ;

郑梁 .

中国专利 :CN110277461A ,2019-09-24

[6]

一种规模化制备LED用半导体材料氮化镓薄膜的方法 [P].

陈庆 ;

曾军堂 ;

陈兵 .

中国专利 :CN107460546B ,2017-12-12

[7]

复合材料、薄膜、薄膜的制备方法以及光电器件 [P].

张成杰 .

中国专利 :CN120239444A ,2025-07-01

[8]

一种规模化制备石墨烯薄膜的夹具及制备方法 [P].

李占成 ;

高翾 ;

张永娜 ;

黄德萍 ;

姜浩 ;

朱鹏 ;

邵丽 ;

史浩飞 .

中国专利 :CN104477897B ,2015-04-01

[9]

一种基于低温液态金属集成的嵌入型光电极及规模化制备方法 [P].

刘岗 ;

甄超 ;

成会明 .

中国专利 :CN114369844B ,2024-08-09

[10]

一种基于低温液态金属集成的嵌入型光电极及规模化制备方法 [P].

刘岗 ;

甄超 ;

成会明 .

中国专利 :CN114369844A ,2022-04-19

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