高压晶体管、半导体晶体管及晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510076647.3

申请日：

2005-06-13

公开(公告)号：

CN1897250A

公开(公告)日：

2007-01-17

发明(设计)人：

庄建祥

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

H01L2182

IPC分类号：

H01L2700 H01L2978 H01L21336 H01L218234

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-03-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-09-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-01-17	公开	公开

共 50 条

[1]

晶体管及晶体管的制造方法 [P].

肥冢纯一 ;

神长正美 .

日本专利 :CN119522638A ,2025-02-25

[2]

具有高压晶体管、非易失性存储器晶体管及逻辑晶体管的半导体器件的制造方法 [P].

R·A·劳 ;

R·穆拉利德哈 .

中国专利 :CN101569006B ,2009-10-28

[3]

晶体管及制造晶体管的方法 [P].

K·迪芬贝克 .

中国专利 :CN102412276A ,2012-04-11

[4]

晶体管的制备方法、晶体管及半导体器件 [P].

吴恒 ;

滕飞宇 ;

闫祥宇 ;

王润声 ;

黄如 .

中国专利 :CN119653847A ,2025-03-18

[5]

晶体管及该晶体管的制造方法 [P].

坂田淳一郎 .

中国专利 :CN104064603A ,2014-09-24

[6]

晶体管及该晶体管的制造方法 [P].

坂田淳一郎 .

中国专利 :CN101800249B ,2010-08-11

[7]

晶体管及制造该晶体管的方法 [P].

朴星昱 .

中国专利 :CN1040267C ,1996-03-27

[8]

半导体晶体管 [P].

吴国成 .

中国专利 :CN101728427B ,2010-06-09

[9]

半导体晶体管 [P].

神林宏 ;

上野胜典 ;

野村刚彦 ;

佐藤义浩 ;

寺本章伸 ;

大见忠弘 .

中国专利 :CN102792449B ,2012-11-21

[10]

晶体管及形成晶体管的方法 [P].

福岛洋一 ;

今本拓也 .

中国专利 :CN112397589A ,2021-02-23

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