Ho及Tm、Cr、Yb共掺杂钽酸盐铌酸盐发光材料及其熔体法晶体生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310746241.6

申请日：

2013-12-27

公开(公告)号：

CN103710024A

公开(公告)日：

2014-04-09

发明(设计)人：

张庆礼刘文鹏窦仁勤孙贵花杨华军孙敦陆殷绍唐

申请人：

申请人地址：

230031 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号

IPC主分类号：

C09K1178

IPC分类号：

C30B2930

代理机构：

安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112

代理人：

余成俊

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101731650203 IPC(主分类):C09K 11/78 专利申请号:2013107462416 申请公布日:20140409
2014-04-09	公开	公开
2014-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582057515 IPC(主分类):C09K 11/78 专利申请号:2013107462416 申请日:20131227

共 50 条

[1]

掺杂铌酸盐、钽酸盐及其混晶发光材料及其熔体法晶体生长方法 [P].

张庆礼 ;

殷绍唐 ;

孙敦陆 ;

刘文鹏 ;

丁丽华 ;

谷长江 ;

秦清海 ;

李为民 .

中国专利 :CN101445727A ,2009-06-03

[2]

钽铌酸铋发光材料及其熔体法晶体生长方法 [P].

张庆礼 ;

殷绍唐 ;

孙敦陆 ;

许兰 ;

刘文鹏 ;

罗建乔 .

中国专利 :CN102071462A ,2011-05-25

[3]

稀土及非稀土掺杂的铌酸盐及其混晶发光材料及熔体法晶体生长方法 [P].

张庆礼 ;

殷绍唐 ;

孙敦陆 ;

许兰 ;

刘文鹏 ;

罗建乔 ;

杨华军 ;

周鹏宇 ;

高进云 .

中国专利 :CN102241980A ,2011-11-16

[4]

一种Cr、Tm、Ho掺杂LaVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 [P].

林鸿良 ;

陈俊 .

中国专利 :CN103305912A ,2013-09-18

[5]

一种Cr、Tm、Ho掺杂ScVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 [P].

林鸿良 ;

陈俊 .

中国专利 :CN103305220A ,2013-09-18

[6]

掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 [P].

张庆礼 ;

殷绍唐 ;

刘文鹏 ;

孙敦陆 ;

杨华军 ;

周鹏宇 .

中国专利 :CN102108551A ,2011-06-29

[7]

一种 Tm、Ho掺杂LaVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 [P].

林鸿良 ;

陈俊 .

中国专利 :CN103305914A ,2013-09-18

[8]

一种Tm、Ho掺杂ScVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 [P].

林鸿良 ;

陈俊 .

中国专利 :CN103320132A ,2013-09-25

[9]

铌酸盐TmyHozBi1-y-zNbO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 [P].

王金华 .

中国专利 :CN103451733A ,2013-12-18

[10]

一种Ho掺杂LaVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 [P].

林鸿良 ;

陈俊 .

中国专利 :CN103305916A ,2013-09-18

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