一种大面积制备PEDOT薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811533135.9

申请日：

2018-12-14

公开(公告)号：

CN109666265A

公开(公告)日：

2019-04-23

发明(设计)人：

孙宽陈瑞李猛周永利张起张林胡立俊

申请人：

申请人地址：

400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号

IPC主分类号：

C08L6500

IPC分类号：

C08L2904 C08L7102 C08J518 C08G6112

代理机构：

重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237

代理人：

王翔

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-15	授权	授权
2019-04-23	公开	公开
2019-05-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C08L 65/00 申请日:20181214

共 50 条

[1]

一种大面积PEDOT/PSS透明导电薄膜制备方法 [P].

严虎 ;

李娟 ;

赵晓丽 .

中国专利 :CN104851522A ,2015-08-19

[2]

一种可大面积制备聚噻吩薄膜的方法 [P].

孙宽 ;

陈瑞 ;

汪海燕 ;

韦洲崟 ;

李猛 ;

周永利 ;

郑玉杰 ;

陈珊珊 .

中国专利 :CN111349254A ,2020-06-30

[3]

一种适合大面积制备红外探测薄膜的方法 [P].

王树棋 ;

邹永纯 ;

陈璐 .

中国专利 :CN120730981A ,2025-09-30

[4]

一种可大面积制备聚苯胺薄膜的方法 [P].

孙宽 ;

陈瑞 ;

张艺耀 ;

李猛 ;

陈珊珊 ;

郑玉杰 ;

周永利 ;

李静 .

中国专利 :CN113024805B ,2021-06-25

[5]

一种制备大面积碳基薄膜材料的方法 [P].

贾宝平 ;

郭洋 ;

王鹿 ;

王秋泽 ;

王小周 ;

王宏志 ;

李耀刚 ;

张青红 .

中国专利 :CN106552748A ,2017-04-05

[6]

一种大面积制备超亲水薄膜的方法 [P].

马威 ;

李四军 ;

张淑芬 .

中国专利 :CN114042614A ,2022-02-15

[7]

大面积制备半导体量子点的方法 [P].

莫晓亮 ;

陈国荣 ;

郑凯波 .

中国专利 :CN103489962B ,2014-01-01

[8]

一种低成本大面积制备石墨烯薄膜的方法 [P].

陈甦 ;

王浩程 .

中国专利 :CN114804080A ,2022-07-29

[9]

一种低成本大面积制备石墨烯薄膜的方法 [P].

陈甦 ;

王浩程 .

澳大利亚专利 :CN114804080B ,2024-09-24

[10]

快速大面积制备薄膜材料的装置及设置方法 [P].

施毅 ;

左则文 ;

辛煜 ;

濮林 ;

王军转 ;

张荣 ;

韩平 ;

谢自立 ;

顾书林 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN101158034A ,2008-04-09

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