一种a-b取向ZnO纳米线阵列的制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN200610022670.9
申请日
2006-12-27
公开(公告)号
CN100428502C
公开(公告)日
2007-09-19
发明(设计)人
邓宏 韦敏 陈金菊 戴丽萍
申请人
申请人地址
610054四川省成都市建设北路二段4号
IPC主分类号
H01L3118
IPC分类号
H01L21365 C23C1640 C23C16448 B82B300 C01G902
代理机构
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共 50 条
[1]
ZnO纳米线阵列的制备方法 [P]. 
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[10]
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