一种用于生产太阳能级硅单晶的复合层石英坩埚

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201120020543.1

申请日：

2011-01-23

公开(公告)号：

CN201962413U

公开(公告)日：

2011-09-07

发明(设计)人：

赵苗东孔旺官春水江迪夫昝继军罗军占胜徐振华董建安李志超

申请人：

申请人地址：

334000 江西省上饶市经济开发区龙大路旁

IPC主分类号：

C30B1510

IPC分类号：

代理机构：

南昌新天下专利商标代理有限公司 36115

代理人：

李炳生

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-07	授权	授权
2014-03-26	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101581075024 IPC(主分类):C30B 15/10 专利号:ZL2011200205431 申请日:20110123 授权公告日:20110907 终止日期:20130123

共 50 条

[1]

太阳能硅单晶生产用涂层石英坩埚 [P].

池金林 .

中国专利 :CN201634794U ,2010-11-17

[2]

太阳能硅单晶生产用涂层石英坩埚 [P].

池金林 .

中国专利 :CN102199787A ,2011-09-28

[3]

用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置 [P].

张雪囡 ;

康冬辉 ;

李建弘 ;

高树良 .

中国专利 :CN202099408U ,2012-01-04

[4]

太阳能级硅单晶生产工艺方法 [P].

倪云达 ;

曲树旺 .

中国专利 :CN1609286A ,2005-04-27

[5]

一种带有侧取光装置的太阳能级硅单晶生产用单晶炉 [P].

王增荣 ;

李斌 ;

郝俊涛 ;

王飞 ;

黄少华 ;

赖汝萍 ;

黄鲁生 ;

钟贵琪 ;

林增标 ;

林海萍 ;

黄云增 ;

黄斌 ;

林德彰 ;

杨峰 ;

王县 .

中国专利 :CN201942786U ,2011-08-24

[6]

一种用于生产太阳能级硅单晶的籽晶夹持装置 [P].

王增荣 ;

李斌 ;

郝俊涛 ;

王飞 ;

黄少华 ;

赖汝萍 ;

黄鲁生 ;

钟贵琪 ;

林增标 ;

林海萍 ;

黄云增 ;

黄斌 ;

林德彰 ;

杨峰 ;

王县 .

中国专利 :CN201942789U ,2011-08-24

[7]

一种用于直拉硅单晶生长的双层坩埚 [P].

曾泽斌 .

中国专利 :CN202380124U ,2012-08-15

[8]

低成本生长太阳能级硅单晶的装置 [P].

任丙彦 ;

褚世君 .

中国专利 :CN202246991U ,2012-05-30

[9]

一种用于生产直拉硅单晶的双石英坩埚装置及方法 [P].

张雪囡 ;

康冬辉 ;

李建弘 ;

高树良 ;

沈浩平 .

中国专利 :CN102168302B ,2011-08-31

[10]

一种太阳能级硅单晶的制备方法 [P].

施美生 ;

许雪松 ;

马鑫 ;

戴瑞麟 ;

朱海顺 .

中国专利 :CN100424234C ,2007-01-24

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