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用于电过应力和静电放电保护的方法和器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201810263749.3
申请日
:
2018-03-28
公开(公告)号
:
CN108666303A
公开(公告)日
:
2018-10-16
发明(设计)人
:
D.J.罗斯
W.A.拉塞尔
J.克拉克
申请人
:
申请人地址
:
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
:
H01L2360
IPC分类号
:
H01L2102
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
:
张健;闫小龙
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-10-16
公开
公开
2020-01-10
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/60 申请日:20180328
共 50 条
[1]
静电放电保护电路、静电放电保护器件和静电放电保护方法
[P].
范炜盛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
范炜盛
.
中国专利
:CN120566380A
,2025-08-29
[2]
静电放电保护电路和静电放电保护方法
[P].
朱恺
论文数:
0
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0
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0
朱恺
;
程惠娟
论文数:
0
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0
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0
程惠娟
;
陈捷
论文数:
0
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0
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0
陈捷
;
郭之光
论文数:
0
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0
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0
郭之光
;
李宏伟
论文数:
0
引用数:
0
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0
李宏伟
.
中国专利
:CN103022996B
,2013-04-03
[3]
电子器件和静电放电保护电路
[P].
廖航
论文数:
0
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0
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0
廖航
;
周春华
论文数:
0
引用数:
0
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0
周春华
.
中国专利
:CN112154541A
,2020-12-29
[4]
静电放电和过驱动保护电路
[P].
R·D·摩尔
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
美国亚德诺半导体公司
美国亚德诺半导体公司
R·D·摩尔
;
F·M·莫敦
论文数:
0
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0
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0
机构:
美国亚德诺半导体公司
美国亚德诺半导体公司
F·M·莫敦
;
P·德洛斯
论文数:
0
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0
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机构:
美国亚德诺半导体公司
美国亚德诺半导体公司
P·德洛斯
;
S·帕萨萨拉希
论文数:
0
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0
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0
机构:
美国亚德诺半导体公司
美国亚德诺半导体公司
S·帕萨萨拉希
;
J·萨尔塞多
论文数:
0
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0
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机构:
美国亚德诺半导体公司
美国亚德诺半导体公司
J·萨尔塞多
;
J·圭多
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0
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0
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0
机构:
美国亚德诺半导体公司
美国亚德诺半导体公司
J·圭多
.
美国专利
:CN113824102B
,2024-09-17
[5]
静电放电和过驱动保护电路
[P].
R·D·摩尔
论文数:
0
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0
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R·D·摩尔
;
F·M·莫敦
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F·M·莫敦
;
P·德洛斯
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0
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P·德洛斯
;
S·帕萨萨拉希
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S·帕萨萨拉希
;
J·萨尔塞多
论文数:
0
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J·萨尔塞多
;
J·圭多
论文数:
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0
J·圭多
.
中国专利
:CN113824102A
,2021-12-21
[6]
用于半导体器件的静电放电保护方法及器件
[P].
永井隆行
论文数:
0
引用数:
0
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0
永井隆行
.
中国专利
:CN101097915B
,2008-01-02
[7]
静电放电保护电路和方法
[P].
C·K·特奥
论文数:
0
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0
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0
C·K·特奥
;
J·J·阿森西安
论文数:
0
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0
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0
J·J·阿森西安
;
K·S·尤
论文数:
0
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0
K·S·尤
;
L·C·徐
论文数:
0
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0
L·C·徐
;
W·K·泰
论文数:
0
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0
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0
W·K·泰
.
中国专利
:CN1909370A
,2007-02-07
[8]
一种用于功率器件击穿保护的栅漏箝位和静电放电保护电路
[P].
苏毅
论文数:
0
引用数:
0
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0
苏毅
;
安荷·叭剌
论文数:
0
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0
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0
安荷·叭剌
;
伍时谦
论文数:
0
引用数:
0
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0
伍时谦
.
中国专利
:CN101819972A
,2010-09-01
[9]
一种用于功率器件击穿保护的栅漏箝位和静电放电保护电路
[P].
苏毅
论文数:
0
引用数:
0
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0
苏毅
;
安荷·叭剌
论文数:
0
引用数:
0
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0
安荷·叭剌
;
伍时谦
论文数:
0
引用数:
0
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0
伍时谦
.
中国专利
:CN102655166B
,2012-09-05
[10]
静电放电保护电路及其静电放电保护方法
[P].
曹正翰
论文数:
0
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0
曹正翰
.
中国专利
:CN1624754A
,2005-06-08
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