一种工艺简单的纳米氧化铬制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN200610165048.3
申请日
2006-12-12
公开(公告)号
CN100579912C
公开(公告)日
2008-06-18
发明(设计)人
裴振昭 张亦飞 张懿
申请人
申请人地址
100080北京市海淀区中关村北二条1号
IPC主分类号
C01G37033
IPC分类号
B82B300
代理机构
代理人
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种简单的制备喷涂氧化铬的方法 [P]. 
裴振昭 .
中国专利 :CN111268728A ,2020-06-12
[2]
一种简单的制备喷涂氧化铬的方法 [P]. 
裴振昭 .
中国专利 :CN104709942A ,2015-06-17
[3]
一种纳米氧化铬颗粒制备方法 [P]. 
徐红彬 ;
裴振昭 ;
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曹宏斌 .
中国专利 :CN100595161C ,2008-08-13
[4]
一种制备喷涂氧化铬的工艺 [P]. 
裴振昭 .
中国专利 :CN104418384A ,2015-03-18
[5]
一种制备喷涂氧化铬的工艺 [P]. 
裴振昭 .
中国专利 :CN111268729A ,2020-06-12
[6]
一种氧化铬纳米材料的制备方法 [P]. 
李志杰 ;
祖小涛 ;
郑万国 ;
袁晓东 ;
唐永亮 .
中国专利 :CN102826605B ,2012-12-19
[7]
一种制备喷涂氧化铬的方法 [P]. 
裴振昭 .
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[8]
制备高纯度纳米氧化铬的方法及高纯度纳米氧化铬 [P]. 
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[9]
一种碳/氧化铬纳米复合材料的制备方法 [P]. 
秦明礼 ;
曹知勤 ;
顾月茹 ;
曲选辉 ;
黄敏 ;
吴昊阳 ;
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中国专利 :CN104733715A ,2015-06-24
[10]
一种制备氧化铬纳米材料的方法 [P]. 
李平云 ;
张朋 ;
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李凤生 ;
刘宏英 ;
郭效德 ;
邓国栋 ;
顾志明 ;
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中国专利 :CN105329944A ,2016-02-17