一种长寿命低衰耗LED发光二极管

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201821958327.X
申请日
2018-11-26
公开(公告)号
CN208873758U
公开(公告)日
2019-05-17
发明(设计)人
罗来祥
申请人
申请人地址
334600 江西省上饶市广丰区经济开发区霞峰高新技术产业园
IPC主分类号
H01L3348
IPC分类号
代理机构
南昌赣专知识产权代理有限公司 36129
代理人
文珊
法律状态
授权
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
一种长寿命低衰耗发光二极管 [P]. 
陈伟 .
中国专利 :CN207514608U ,2018-06-19
[2]
一种长寿命低衰耗半导体发光二极管 [P]. 
朱邦贺 .
中国专利 :CN216624322U ,2022-05-27
[3]
一种长寿命发光二极管 [P]. 
王焕东 ;
陈红英 ;
王威 ;
王焕忠 ;
李娟 ;
王鸿宇 ;
王海宇 .
中国专利 :CN206301842U ,2017-07-04
[4]
一种低衰耗发光二极管 [P]. 
陈达 .
中国专利 :CN109538962A ,2019-03-29
[5]
低衰耗发光二极管照明装置 [P]. 
刘文桂 .
中国专利 :CN208312326U ,2019-01-01
[6]
一种低衰耗发光二极管封装结构及发光二极管 [P]. 
颜张高 .
中国专利 :CN214254452U ,2021-09-21
[7]
一种长寿命的发光二极管 [P]. 
卿志鹏 .
中国专利 :CN207504015U ,2018-06-15
[8]
一种低衰耗的发光二极管 [P]. 
祁科峰 .
中国专利 :CN206755106U ,2017-12-15
[9]
一种低衰耗的发光二极管 [P]. 
何周峰 .
中国专利 :CN220930892U ,2024-05-10
[10]
一种低衰耗的发光二极管 [P]. 
李亮亮 ;
邓必楚 ;
黄香珍 .
中国专利 :CN218498095U ,2023-02-17