硅负极材料及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201911249944.1
申请日
2019-12-09
公开(公告)号
CN110931753B
公开(公告)日
2020-03-27
发明(设计)人
李伟善 金盾 丘勇才 欧宇晴
申请人
申请人地址
511400 广东省广州市番禺区外环西路378号华南师范大学化学与环境学院
IPC主分类号
H01M436
IPC分类号
H01M438 H01M462 H01M100525
代理机构
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
杜寒宇
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
复合负极材料及其制备方法 [P]. 
李伟善 ;
欧宇晴 ;
金盾 .
中国专利 :CN110854373B ,2020-02-28
[2]
一种硅负极材料及其制备方法 [P]. 
赵璐涵 ;
刘科 ;
季玉琴 ;
管文倩 ;
李学法 ;
张国平 .
中国专利 :CN120261542A ,2025-07-04
[3]
硅碳负极材料及其制备方法、电池 [P]. 
郑军华 ;
王亚州 ;
李星烁 ;
刘一腾 .
中国专利 :CN110021749A ,2019-07-16
[4]
硅负极材料及其制备方法和应用、硅负极极片、锂电子电池 [P]. 
蒋建忠 ;
孙赛 ;
董文芊 ;
邓洁 ;
张丝雨 .
中国专利 :CN119864408A ,2025-04-22
[5]
碳硅负极材料及其制备方法 [P]. 
丁书凯 ;
李航 ;
韩斌 ;
孙东峰 .
中国专利 :CN120081360A ,2025-06-03
[6]
硅负极材料及其制备方法、负极和电池 [P]. 
衡帅 ;
杨亦双 ;
郑洪河 ;
许彬 ;
杭辉 ;
王晶 ;
符朝桂 ;
杨庆亨 .
中国专利 :CN117293321B ,2024-01-30
[7]
一种硅负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
郑银坤 ;
孙语蔚 ;
王金钻 ;
侯敏 ;
曹辉 .
中国专利 :CN115548325A ,2022-12-30
[8]
硅基负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
李彩彩 ;
杜思红 .
中国专利 :CN117766709A ,2024-03-26
[9]
一种碳硅负极材料及其制备方法与电池 [P]. 
邱琳琳 ;
常家瑞 ;
张洁 ;
程序 ;
郑阳 ;
段豪杰 ;
周环宇 ;
董顺 .
中国专利 :CN120237163A ,2025-07-01
[10]
一种固态电池用硅负极材料及其制备方法 [P]. 
叶克份 ;
张小祝 ;
陈伟 ;
苏敏 .
中国专利 :CN119208554A ,2024-12-27