超辐射发光二极管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210581934.X

申请日：

2012-12-28

公开(公告)号：

CN103022897A

公开(公告)日：

2013-04-03

发明(设计)人：

周志强刘建军唐琦

申请人：

申请人地址：

430223 湖北省武汉市东湖高新技术开发区华中科技大学科技园正源光子产业园

IPC主分类号：

H01S534

IPC分类号：

H01S520

代理机构：

北京汇泽知识产权代理有限公司 11228

代理人：

朱振德

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-03	公开	公开
2013-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101448954603 IPC(主分类):H01S 5/34 专利申请号:201210581934X 申请日:20121228
2015-07-08	授权	授权

共 50 条

[1]

超辐射发光二极管及其制作方法 [P].

罗绍迪 ;

周志强 ;

黄晓鸣 ;

刘永康 .

中国专利 :CN117374179A ,2024-01-09

[2]

超辐射发光二极管 [P].

张军 ;

常进 ;

黄晓东 ;

李林松 .

中国专利 :CN101197407A ,2008-06-11

[3]

一种超辐射发光二极管及其制作方法 [P].

张明洋 ;

王任凡 .

中国专利 :CN112259649B ,2021-01-22

[4]

发光二极管及其制作方法 [P].

丁杰 ;

张琰琰 ;

陆香花 .

中国专利 :CN118448538A ,2024-08-06

[5]

发光二极管及其制作方法 [P].

张洁 ;

刘建明 ;

朱学亮 ;

徐宸科 .

中国专利 :CN105355743A ,2016-02-24

[6]

发光二极管及其制作方法 [P].

林文禹 ;

叶孟欣 ;

罗云明 ;

曾建尧 ;

张中英 .

中国专利 :CN107919415B ,2018-04-17

[7]

发光二极管及其制作方法 [P].

郭桓邵 ;

彭成基 ;

吴俊毅 ;

吴超瑜 ;

谢建元 ;

王笃祥 .

中国专利 :CN105633229B ,2016-06-01

[8]

发光二极管及其制作方法 [P].

舒立明 ;

王良均 ;

刘晓峰 ;

叶大千 ;

吴超瑜 ;

王笃祥 .

中国专利 :CN105428483A ,2016-03-23

[9]

发光二极管及其制作方法 [P].

艾国齐 ;

汪延明 ;

苗振林 ;

徐平 .

中国专利 :CN104795481A ,2015-07-22

[10]

一种量子点超辐射发光二极管及其制作方法 [P].

訾慧 ;

薛正群 ;

苏辉 ;

王凌华 ;

林琦 ;

林中晞 ;

陈阳华 .

中国专利 :CN105870267A ,2016-08-17

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