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半导体光接收元件及半导体光接收元件的制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010371582.X
申请日：
2020-05-06
公开(公告)号：
CN111916507A
公开(公告)日：
2020-11-10
发明(设计)人：
R.瓦希诺 H.哈马达 T.塔尼古奇
申请人：
申请人地址：
日本神奈川县
IPC主分类号：
H01L310224
IPC分类号：
H01L310352 H01L31101 H01L3118
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
贺紫秋
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-11-10 公开 公开
2022-05-27 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20200506
共 50 条
[1]
半导体光接收元件及半导体光接收元件的制造方法 [P]. 
R.瓦希诺 ;
H.哈马达 ;
T.塔尼古奇 .
日本专利 :CN111916507B ,2024-05-17
[2]
半导体光接收元件 [P]. 
米田昌博 ;
海老原幸司 ;
沖本拓也 .
中国专利 :CN113345977A ,2021-09-03
[3]
半导体光接收元件 [P]. 
中路雅晴 ;
竹村亮太 .
中国专利 :CN102034890B ,2011-04-27
[4]
半导体光接收元件 [P]. 
山日龙二 ;
西本赖史 .
中国专利 :CN103531644A ,2014-01-22
[5]
半导体光接收元件 [P]. 
米田昌博 ;
海老原幸司 ;
沖本拓也 .
日本专利 :CN113345977B ,2025-04-11
[6]
半导体光接收元件 [P]. 
豊中隆司 ;
滨田博 ;
田中滋久 .
中国专利 :CN114792738A ,2022-07-26
[7]
半导体光接收元件 [P]. 
豊中隆司 ;
滨田博 ;
田中滋久 .
日本专利 :CN114792738B ,2025-04-18
[8]
光接收元件和具有光接收元件的光子半导体器件 [P]. 
西村晋 ;
本多正治 ;
上山孝二 .
中国专利 :CN1217422C ,2004-01-07
[9]
半导体光接收元件、和具有该半导体光接收元件的光学拾波器件 [P]. 
河田诚治 .
中国专利 :CN1976048A ,2007-06-06
[10]
半导体光元件、半导体光集成元件、及半导体光元件的制造方法 [P]. 
山口勉 ;
佐久间仁 ;
尾上和之 .
中国专利 :CN111937259B ,2020-11-13
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