二次电池的制造方法及二次电池的制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911324680.1

申请日：

2019-12-20

公开(公告)号：

CN111384356B

公开(公告)日：

2020-07-07

发明(设计)人：

西村弘幸桥本茂树吉尾英明齐藤茂树工藤聪山崎裕司高冈邦博田笼英典

申请人：

申请人地址：

日本冈山县

IPC主分类号：

H01M50609

IPC分类号：

H01M50636 H01M1004

代理机构：

北京海智友知识产权代理事务所(普通合伙) 11455

代理人：

吴京顺

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-07	公开	公开
2022-09-06	授权	授权
2020-09-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 2/36 申请日:20191220

共 50 条

[1]

二次电池、二次电池的制造方法及二次电池的制造装置 [P].

栗本泰男 ;

古市良市 .

中国专利 :CN1633728A ,2005-06-29

[2]

二次电池的制造装置、二次电池的制造方法及二次电池 [P].

千原真志 ;

尾濑德洋 ;

柿下健一 ;

鬼头澄子 .

日本专利 :CN117996141A ,2024-05-07

[3]

二次电池、电池模块及二次电池的制造方法 [P].

藤井雄佑 .

中国专利 :CN115347270A ,2022-11-15

[4]

二次电池的制造方法以及二次电池 [P].

高木优 .

中国专利 :CN103959512A ,2014-07-30

[5]

制造二次电池的方法及二次电池 [P].

崔淳柱 ;

李恩周 ;

金锡九 ;

李知垠 ;

柳志勳 .

中国专利 :CN114342174A ,2022-04-12

[6]

制造二次电池的方法及二次电池 [P].

崔淳柱 ;

李恩周 ;

金锡九 ;

李知垠 ;

柳志勳 .

韩国专利 :CN114342174B ,2024-01-19

[7]

二次电池及二次电池的制造方法 [P].

棚桥祐太 ;

三田和隆 ;

塚越贵史 ;

宫崎晋也 .

日本专利 :CN114976280B ,2025-08-08

[8]

二次电池制造方法 [P].

姜炅秀 ;

裴祥祐 ;

郑然范 .

韩国专利 :CN120958623A ,2025-11-14

[9]

制造二次电池的设备及制造二次电池的方法 [P].

裵尙镐 ;

郑洲泳 ;

金泰钟 ;

李祥雨 ;

郑守宅 ;

黄源弼 ;

崔敏澈 ;

金津坤 ;

李镕骏 .

中国专利 :CN115443564A ,2022-12-06

[10]

二次电池及二次电池制造方法以及二次电池制造装置 [P].

栗本泰男 ;

古市良市 .

中国专利 :CN1293665C ,2004-08-25

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