一种容量为2M×8bit的立体封装MRAM存储器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320385621.7

申请日：

2013-06-30

公开(公告)号：

CN203423171U

公开(公告)日：

2014-02-05

发明(设计)人：

王烈洋叶振荣黄小虎蒋晓华颜军

申请人：

申请人地址：

519080 广东省珠海市唐家东岸白沙路1号欧比特科技园

IPC主分类号：

H01L25065

IPC分类号：

H01L2331 H01L23495

代理机构：

广东秉德律师事务所 44291

代理人：

杨焕军

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-05	授权	授权

共 50 条

[1]

一种容量为1M×8bit的立体封装EEPROM存储器 [P].

王烈洋 ;

叶振荣 ;

黄小虎 ;

蒋晓华 ;

颜军 .

中国专利 :CN203644769U ,2014-06-11

[2]

一种容量为512M×8bit的立体封装SDRAM存储器 [P].

王烈洋 ;

黄小虎 ;

蒋晓华 ;

颜军 .

中国专利 :CN203406280U ,2014-01-22

[3]

一种容量为256M×8bit的立体封装SDRAM存储器 [P].

王烈洋 ;

黄小虎 ;

蒋晓华 ;

颜军 .

中国专利 :CN203423178U ,2014-02-05

[4]

容量为8G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器 [P].

王烈洋 ;

叶振荣 ;

黄小虎 ;

蒋晓华 ;

颜军 .

中国专利 :CN203644770U ,2014-06-11

[5]

一种容量为512M×8bit的立体封装NAND FLASH存储器 [P].

王烈洋 ;

叶振荣 ;

黄小虎 ;

蒋晓华 ;

颜军 .

中国专利 :CN203644763U ,2014-06-11

[6]

一种容量为8G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器 [P].

王烈洋 ;

叶振荣 ;

黄小虎 ;

蒋晓华 ;

颜军 .

中国专利 :CN203644768U ,2014-06-11

[7]

一种容量为512K×8bit的立体封装EEPROM存储器 [P].

王烈洋 ;

叶振荣 ;

黄小虎 ;

蒋晓华 ;

颜军 .

中国专利 :CN203644764U ,2014-06-11

[8]

一种容量为16G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器 [P].

王烈洋 ;

叶振荣 ;

黄小虎 ;

蒋晓华 ;

颜军 .

中国专利 :CN203644767U ,2014-06-11

[9]

一种容量为4G×8bit的立体封装NAND FLASH存储器 [P].

王烈洋 ;

叶振荣 ;

黄小虎 ;

蒋晓华 ;

颜军 .

中国专利 :CN203644762U ,2014-06-11

[10]

一种容量为512K×40bit的立体封装MRAM存储器 [P].

王烈洋 ;

叶振荣 ;

黄小虎 ;

蒋晓华 ;

颜军 .

中国专利 :CN203406281U ,2014-01-22

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