垂直晶体管组件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510146361.1

申请日：

2011-07-14

公开(公告)号：

CN104681596A

公开(公告)日：

2015-06-03

发明(设计)人：

C.卡多 A.梅泽 M.孙德尔

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号

IPC主分类号：

H01L29417

IPC分类号：

H01L29423 H01L2966 H01L29739 H01L2978 H01L2906

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

王洪斌;陈岚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-03	公开	公开
2015-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101615751693 IPC(主分类):H01L 29/417 专利申请号:2015101463611 申请日:20110714
2018-03-02	授权	授权

共 50 条

[1]

垂直晶体管组件 [P].

C.卡多 ;

A.梅泽 ;

M.孙德尔 .

中国专利 :CN102339854A ,2012-02-01

[2]

垂直晶体管 [P].

A·高蒂尔 ;

G·C·里贝斯 .

中国专利 :CN208045512U ,2018-11-02

[3]

垂直晶体管的制备方法、垂直晶体管、器件及设备 [P].

吴恒 ;

王逸勐 ;

黄如 ;

王润声 ;

黎明 .

中国专利 :CN118039486A ,2024-05-14

[4]

垂直晶体管STRAM阵列 [P].

P·N·马诺斯 ;

Y·P·金 ;

H-K·李 ;

Y·安 ;

J·金 ;

A·克利亚 ;

B·李 ;

D·斯蒂阿迪 .

中国专利 :CN102543847A ,2012-07-04

[5]

垂直量子晶体管 [P].

A·高蒂尔 ;

G·C·里贝斯 .

中国专利 :CN108630755B ,2018-10-09

[6]

垂直双极晶体管 [P].

沙赫·阿克巴 ;

帕特里西安·拉维勒·克罗森 ;

赛克·欧古拉 ;

尼弗·罗维多 .

中国专利 :CN1040116A ,1990-02-28

[7]

垂直DMOS晶体管 [P].

秀明土子 .

中国专利 :CN104051534B ,2014-09-17

[8]

垂直晶体管制造方法和垂直晶体管 [P].

金明豪 ;

戴维·威廉·卡尔顿 ;

尼克·克肖 ;

克里斯·罗杰斯 .

中国专利 :CN102593002A ,2012-07-18

[9]

垂直晶体管的制造方法 [P].

程慷果 ;

拉玛查恩德拉·迪瓦卡鲁尼 ;

奥莱格·格鲁斯切恩科夫 .

中国专利 :CN100550420C ,2005-12-28

[10]

非线性栅极垂直晶体管 [P].

迪帕克·钱德拉·潘迪 ;

许志维 .

:CN118248716A ,2024-06-25

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