用于制造纳米结构的方法

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专利类型
发明
申请号
CN201680043103.3
申请日
2016-06-03
公开(公告)号
CN107849735A
公开(公告)日
2018-03-27
发明(设计)人
S·韦齐恩 B·达米拉诺 J·布罗
申请人
申请人地址
法国巴黎
IPC主分类号
C30B2940
IPC分类号
C30B2960 C30B3302
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
过晓东
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
用于制造纳米结构的方法 [P]. 
乔纳斯·迪伦 ;
李元尧 ;
许嘉晏 ;
吴英品 .
中国专利 :CN107004548A ,2017-08-01
[2]
用于制造纳米结构的方法 [P]. 
格雷戈尔·科比穆勒 ;
贝内迪克特·梅耶尔 ;
乔纳森·芬利 ;
格哈德·埃博斯特瑞特 .
中国专利 :CN108028182B ,2018-05-11
[3]
用于制造碳纳米结构的装置和用于制造碳纳米结构的方法 [P]. 
日方威 ;
大久保总一郎 .
中国专利 :CN103003196A ,2013-03-27
[4]
纳米结构和纳米结构的制造方法 [P]. 
元井泰子 ;
玉森研尔 ;
王诗男 ;
奥贯昌彦 ;
小野治人 ;
饗场利明 ;
吉松伸起 .
中国专利 :CN101308777B ,2008-11-19
[5]
纳米结构体器件和用于制造纳米结构体的方法 [P]. 
穆罕默德·沙菲奎尔·卡比尔 .
中国专利 :CN103154340A ,2013-06-12
[6]
用于制造碳纳米结构的系统和方法 [P]. 
S·利希特 ;
G·利希特 .
中国专利 :CN114630926A ,2022-06-14
[7]
用于制造碳纳米结构的系统和方法 [P]. 
S·利希特 ;
G·利希特 .
美国专利 :CN114630926B ,2024-10-25
[8]
用于场发射阴极的纳米结构的制造方法 [P]. 
乔纳斯·迪伦 ;
简奥托·卡尔松 ;
奥丽萨·尼康欧娃 .
中国专利 :CN107636790B ,2018-01-26
[9]
制造包含纳米结构的结构的方法 [P]. 
托马斯·乌辛 .
中国专利 :CN102791468A ,2012-11-21
[10]
纳米结构体的制造方法 [P]. 
富田忠文 ;
铃木信也 .
中国专利 :CN101074486B ,2007-11-21