基于石墨烯量子点阵列的SERS基底及其制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN202010442203.1
申请日
2020-05-22
公开(公告)号
CN111441032B
公开(公告)日
2020-07-24
发明(设计)人
隋学森
申请人
申请人地址
519031 广东省珠海市横琴新区南山嘴路138号2号楼1单元401房
IPC主分类号
C23C1626
IPC分类号
C23C1602 C23C1656 C23C1458 C23C1435 C23C1418 G01N2165
代理机构
安徽盟友知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34213
代理人
樊广秋
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
缺陷石墨烯SERS基底的制备方法 [P]. 
陈少娜 ;
梁艳华 ;
代忠旭 .
中国专利 :CN112592440A ,2021-04-02
[2]
一种石墨烯量子点阵列的微纳复合制备方法 [P]. 
黄小平 ;
昌竹 ;
颜子龙 ;
彭奉江 ;
陈若童 ;
杨镇源 ;
赵青 .
中国专利 :CN114014262A ,2022-02-08
[3]
在绝缘衬底上直接制备石墨烯量子点阵列的方法 [P]. 
狄增峰 ;
郑鹏荣 ;
董林玺 ;
薛忠营 .
中国专利 :CN109055895B ,2018-12-21
[4]
金属纳米点阵/单层石墨烯SERS衬底及其制备方法和应用 [P]. 
张宇 ;
韩应宽 ;
韩琳 .
中国专利 :CN110715916A ,2020-01-21
[5]
银脑回/石墨烯/金膜三维SERS基底及制备方法 [P]. 
张超 ;
李崇辉 ;
满宝元 ;
姜守振 ;
杨诚 ;
郁菁 .
中国专利 :CN107462565B ,2017-12-12
[6]
基于石墨烯的量子电阻芯片的制备方法 [P]. 
王浩敏 ;
孔自强 ;
王慧山 ;
陈令修 ;
肖相生 .
中国专利 :CN115498102B ,2025-09-26
[7]
基于石墨烯的量子电阻芯片的制备方法 [P]. 
王浩敏 ;
孔自强 ;
王慧山 ;
陈令修 ;
肖相生 .
中国专利 :CN115498102A ,2022-12-20
[8]
一种基于绝缘基底的石墨烯制备方法 [P]. 
卓其奇 ;
张一萍 .
中国专利 :CN107032331A ,2017-08-11
[9]
银纳米线-石墨烯-金纳米球的复合SERS基底及其制备方法 [P]. 
王世强 ;
孙冰 ;
姜慧芸 ;
冯俊杰 ;
金艳 .
中国专利 :CN115508325A ,2022-12-23
[10]
基于弹力收缩的SERS基底的制备方法、SERS基底及其检测方法 [P]. 
王超男 ;
卫永坤 ;
沈希龙 ;
何川 ;
周子强 .
中国专利 :CN114660043A ,2022-06-24