一种高纯高致密多晶CeB6块体阴极材料的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200810225028.X
申请日
2008-10-24
公开(公告)号
CN101372339A
公开(公告)日
2009-02-25
发明(设计)人
张久兴 周身林 刘丹敏
申请人
申请人地址
100124北京市朝阳区平乐园100号
IPC主分类号
C01B3504
IPC分类号
代理机构
北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人
张慧
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
高纯高致密YbB6多晶块体阴极材料的制备方法 [P]. 
张忻 ;
梁超龙 ;
张繁星 ;
郑亮 ;
王杨 ;
刘洪亮 ;
李松浩 ;
张久兴 .
中国专利 :CN103601207A ,2014-02-26
[2]
一种高致密(SmxBa1-x)B6多晶块体阴极及其快速制备方法 [P]. 
张久兴 ;
周身林 ;
包黎红 ;
刘丹敏 ;
马汝广 .
中国专利 :CN101575211A ,2009-11-11
[3]
一种高纯高致密(LaxSm1‑x)B6多晶阴极材料及其制备方法 [P]. 
周身林 ;
陈明源 ;
樊斌伟 ;
罗回雨 ;
叶子飘 ;
余晓光 .
中国专利 :CN104831352B ,2015-08-12
[4]
DyB6多晶块体阴极材料的制备方法 [P]. 
张久兴 ;
魏永峰 ;
周身林 ;
包黎红 .
中国专利 :CN101983920A ,2011-03-09
[5]
一种高致密多元稀土硼化物(La<sub>x</sub>Gd<sub>1-x</sub>)B<sub>6</sub>多晶材料的制备方法 [P]. 
廖昱锦 ;
周身林 ;
罗回雨 ;
操雪琪 ;
熊琳颖 ;
刘欣茹 ;
潘文丽 ;
谢昌鑫 .
中国专利 :CN118422330A ,2024-08-02
[6]
一种高致密BaTi2O5块体的制备方法 [P]. 
王传彬 ;
彭健 ;
沈强 ;
李凌 ;
张联盟 .
中国专利 :CN102241508B ,2011-11-16
[7]
LaB6多晶块体阴极材料的快速制备方法 [P]. 
张久兴 ;
周身林 ;
刘丹敏 .
中国专利 :CN101381085A ,2009-03-11
[8]
一种高致密度高硬度的高纯硼靶的制造方法 [P]. 
张久兴 ;
胡可 ;
杨新宇 ;
李志 .
中国专利 :CN107557738A ,2018-01-09
[9]
一种高致密(LaxCa1-x)B6多晶阴极材料及其制备方法 [P]. 
周身林 ;
罗小兵 ;
叶子飘 ;
罗回雨 ;
余晓光 ;
胡强林 .
中国专利 :CN104894641A ,2015-09-09
[10]
一种多元稀土硼化物(CexPr1-x)B6阴极材料及其制备方法 [P]. 
张久兴 ;
李晓娜 ;
包黎红 ;
张宁 ;
张忻 ;
张繁星 .
中国专利 :CN102515769A ,2012-06-27