双垂直沟道晶体管和集成电路存储器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201821545437.3

申请日：

2018-09-20

公开(公告)号：

CN208738259U

公开(公告)日：

2019-04-12

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2908 H01L29423 H01L21336 H01L27108 H01L218242

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

智云

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-12	授权	授权

共 50 条

[1]

双垂直沟道晶体管、集成电路存储器及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110931558A ,2020-03-27

[2]

集成电路存储器的晶体管组合结构及半导体集成电路器件 [P].

赵亮 .

中国专利 :CN208655643U ,2019-03-26

[3]

晶体管及集成电路存储器 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208655659U ,2019-03-26

[4]

集成电路存储器 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208819879U ,2019-05-03

[5]

集成电路存储器的晶体管组合用装置 [P].

余泽江 ;

欧阳春花 ;

裴强满 ;

叶太顺 .

中国专利 :CN220829942U ,2024-04-23

[6]

垂直沟道晶体管以及包括垂直沟道晶体管的存储器件 [P].

金真怜 ;

宋基焕 .

中国专利 :CN101150132B ,2008-03-26

[7]

集成电路存储器的晶体管组合结构及其形成方法 [P].

赵亮 .

中国专利 :CN110880508B ,2024-08-09

[8]

集成电路存储器的晶体管组合结构及其形成方法 [P].

赵亮 .

中国专利 :CN110880508A ,2020-03-13

[9]

具有选择晶体管的集成电路存储器器件 [P].

沈善一 ;

郑载勋 ;

金汉洙 ;

许星会 ;

张在焄 ;

李受妍 .

中国专利 :CN101814508B ,2010-08-25

[10]

双垂直沟道晶体管 [P].

陈逸男 ;

徐文吉 ;

叶绍文 ;

刘献文 .

中国专利 :CN103378147B ,2013-10-30

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