半导体存储器件基准电压生成电路

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专利类型
发明
申请号
CN91102987.7
申请日
1991-04-30
公开(公告)号
CN1061864A
公开(公告)日
1992-06-10
发明(设计)人
闵东瑄 全东宋
申请人
申请人地址
南朝鲜京畿道水原市
IPC主分类号
G11C514
IPC分类号
G11C1300
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
郭伟刚;肖掬昌
法律状态
实质审查请求已生效的专利申请
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体存储器件 [P]. 
仲矢修治 .
中国专利 :CN1516189A ,2004-07-28
[2]
恒定电压产生电路及半导体存储器件 [P]. 
丹沢徹 ;
高野芳德 .
中国专利 :CN1405888A ,2003-03-26
[3]
半导体装置及基准电压生成电路 [P]. 
吉野英生 .
中国专利 :CN102683393A ,2012-09-19
[4]
基准电压电路以及半导体装置 [P]. 
坂口薰 .
中国专利 :CN110134175B ,2019-08-16
[5]
基准电压电路以及半导体装置 [P]. 
坂口薰 .
中国专利 :CN111552344A ,2020-08-18
[6]
半导体存储器件 [P]. 
舛冈富士雄 ;
新井绅太郎 .
中国专利 :CN101933136A ,2010-12-29
[7]
半导体存储器件 [P]. 
藤田胜之 ;
H·S·任 .
中国专利 :CN108028059B ,2018-05-11
[8]
半导体存储器件 [P]. 
西原龙二 ;
县政志 ;
川崎利昭 ;
白滨政则 .
中国专利 :CN1649030A ,2005-08-03
[9]
半导体存储器件 [P]. 
舛冈富士雄 ;
新井绅太郎 .
中国专利 :CN103460373A ,2013-12-18
[10]
半导体存储器件 [P]. 
辛昌熙 ;
曹基锡 .
中国专利 :CN101241763A ,2008-08-13