一种空心介孔二氧化硅纳米球的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110406697.9
申请日
2011-12-08
公开(公告)号
CN102491349B
公开(公告)日
2012-06-13
发明(设计)人
郑南峰 刘召辉 方晓亮 刘朋昕
申请人
申请人地址
361005 福建省厦门市思明南路422号
IPC主分类号
C01B3312
IPC分类号
B82Y4000
代理机构
厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200
代理人
马应森
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种双介孔二氧化硅纳米球的制备方法 [P]. 
刘玉普 .
中国专利 :CN119430203A ,2025-02-14
[2]
一种双介孔二氧化硅纳米球的制备方法 [P]. 
刘玉普 .
中国专利 :CN119430203B ,2025-06-10
[3]
一种双模板法制备介孔二氧化硅纳米球的方法 [P]. 
郭霞 ;
范笑男 .
中国专利 :CN112919483A ,2021-06-08
[4]
一种介孔二氧化硅空心球的制备方法 [P]. 
郑南峰 ;
方晓亮 ;
陈诚 ;
李悦 .
中国专利 :CN102167336A ,2011-08-31
[5]
一种新型介孔二氧化硅纳米球的制备方法 [P]. 
张海娇 ;
焦正 ;
李智勇 ;
张宗南 ;
张璐 ;
李霞 .
中国专利 :CN101948139A ,2011-01-19
[6]
一种介孔二氧化硅空心球的制备方法 [P]. 
金长子 ;
王彦杰 ;
王军虎 .
中国专利 :CN104418333A ,2015-03-18
[7]
中空介孔二氧化硅纳米颗粒的制备方法 [P]. 
何晓晓 ;
邹振 ;
王柯敏 ;
何定庚 ;
杨雪 ;
熊军 .
中国专利 :CN105329905A ,2016-02-17
[8]
球形介孔二氧化硅的制备方法 [P]. 
唐芳琼 ;
庞雪蕾 .
中国专利 :CN1715184A ,2006-01-04
[9]
介孔二氧化硅薄膜 [P]. 
矢野聪宏 .
中国专利 :CN101657383A ,2010-02-24
[10]
一种有序介孔二氧化硅空心球的制备方法 [P]. 
郑南峰 ;
方晓亮 ;
陈诚 ;
李悦 .
中国专利 :CN102153094A ,2011-08-17