一种制作纳米级图形的方法

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专利类型
发明
申请号
CN200710177797.2
申请日
2007-11-21
公开(公告)号
CN101441410A
公开(公告)日
2009-05-27
发明(设计)人
傅剑宇 陈大鹏 景玉鹏 欧毅 叶甜春
申请人
申请人地址
100029北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号
G03F700
IPC分类号
B81C100
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司
代理人
周国城
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
纳米级空隙的减小 [P]. 
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[10]
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