低温烧结的含铅系介电陶瓷及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200310115026.2

申请日：

2003-11-20

公开(公告)号：

CN1253409C

公开(公告)日：

2004-11-10

发明(设计)人：

田长生高峰杨祖培王文斌宋宏健韩瀛李伟斌

申请人：

申请人地址：

710075陕西省西安市高新路25号高新商务5层

IPC主分类号：

C04B35462

IPC分类号：

C04B35499 C04B35622 C04B3564 H01L41187 H01B312

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司

代理人：

张正星

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-11-10	公开	公开
2005-01-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-01-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101560122555 IPC(主分类):C04B 35/462 专利号:ZL2003101150262 申请日:20031120 授权公告日:20060426 终止日期:20121120
2006-04-26	授权	授权

共 50 条

[1]

低温烧结铌酸盐微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

方亮 ;

张辉 ;

孟森森 .

中国专利 :CN100386285C ,2006-06-28

[2]

低温烧结锂基微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

方亮 ;

褚冬进 ;

周焕福 ;

陈秀丽 ;

杨曌 .

中国专利 :CN101805170B ,2010-08-18

[3]

铅系低温烧结弛豫铁电陶瓷瓷料组成及制备工艺 [P].

桂治轮 ;

李龙土 ;

李英 ;

王雨 ;

万冬梅 ;

孙红飞 .

中国专利 :CN1081016A ,1994-01-19

[4]

低温烧结的含铅系压电陶瓷及其制造工艺 [P].

桂治轮 ;

李龙土 ;

张孝文 ;

高素华 ;

孙红飞 ;

刘玉顺 .

中国专利 :CN1037426A ,1989-11-22

[5]

可低温烧结的微波介电陶瓷BiTiNbO6及其制备方法 [P].

方亮 ;

郭欢欢 ;

蒋雪雯 .

中国专利 :CN103496973A ,2014-01-08

[6]

可低温烧结的微波介电陶瓷BiCaVO5及其制备方法 [P].

方亮 ;

蒋雪雯 ;

郭欢欢 .

中国专利 :CN103496983A ,2014-01-08

[7]

可低温烧结微波介电陶瓷LiTiPO5及其制备方法 [P].

蒋雪雯 ;

方亮 ;

李洁 .

中国专利 :CN103864411B ,2014-06-18

[8]

可低温烧结微波介电陶瓷LiWVO6及其制备方法 [P].

方亮 ;

邓婧 ;

唐莹 .

中国专利 :CN103159476A ,2013-06-19

[9]

低温烧结的高介电常数微波介电陶瓷及制备方法 [P].

周晓华 ;

李恩竹 ;

张树人 .

中国专利 :CN103113105A ,2013-05-22

[10]

低温烧结微波介电陶瓷Bi38ZnO58及其制备方法 [P].

方亮 ;

蒋雪雯 ;

韦珍海 .

中国专利 :CN103496968A ,2014-01-08

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