多孔Si3N4及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410001478.2

申请日：

2004-01-08

公开(公告)号：

CN1247488C

公开(公告)日：

2004-08-25

发明(设计)人：

佐藤武朴辰珠

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C04B3800

IPC分类号：

C04B3806 C04B35626 C04B3565 C04B35584

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

张平元;赵仁临

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101648709167 IPC(主分类):C04B 38/00 专利号:ZL2004100014782 申请日:20040108 授权公告日:20060329 终止日期:20150108
2006-03-29	授权	授权
2005-04-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-08-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种多孔SiBCN/Si3N4复合陶瓷及其制备方法 [P].

曾宇平 ;

张叶 ;

左开慧 ;

夏咏锋 ;

姚冬旭 ;

尹金伟 ;

梁汉琴 .

中国专利 :CN112624769B ,2021-04-09

[2]

一种气孔率可控多孔Si3N4的制备方法 [P].

杨建锋 ;

徐照芸 ;

景文甲 ;

刘波波 ;

王波 ;

李春芳 .

中国专利 :CN104086183A ,2014-10-08

[3]

Si3N4基金属陶瓷及其制备方法 [P].

范景莲 ;

银锐明 .

中国专利 :CN101805867A ,2010-08-18

[4]

一种Si3N4陶瓷及其制备方法 [P].

林锐霖 ;

牛文彬 ;

陈志伟 ;

吴利翔 ;

郭伟明 ;

林华泰 .

中国专利 :CN108558411B ,2018-09-21

[5]

一种Si3N4基复合陶瓷及其制备方法 [P].

伍尚华 ;

刘聪 ;

郭伟明 ;

赵哲 .

中国专利 :CN107663093A ,2018-02-06

[6]

一种低介电常数α‑Si3N4多孔陶瓷的制备方法 [P].

郭伟 ;

刘甜甜 ;

苏志发 ;

蒋金海 .

中国专利 :CN106866156A ,2017-06-20

[7]

一种高导热Si3N4陶瓷及其制备方法 [P].

李俊国 ;

陈杨 ;

沈强 ;

李美娟 .

中国专利 :CN111285692A ,2020-06-16

[8]

一种Si3N4陶瓷材料及其制备方法 [P].

曾宇平 ;

梁汉琴 ;

左开慧 ;

夏咏锋 ;

姚冬旭 ;

尹金伟 .

中国专利 :CN112851366B ,2021-05-28

[9]

一种Si3N4陶瓷结构件及其制备方法 [P].

满积友 ;

潘欢 ;

鲍崇高 ;

宋索成 ;

赵纪元 ;

王克杰 .

中国专利 :CN109796208B ,2019-05-24

[10]

Si3N4w/Si预制体及利用该预制体制备Si3N4w/Si3N4复合材料的方法 [P].

成来飞 ;

叶昉 ;

张聪琳 ;

李明星 ;

张立同 .

中国专利 :CN113248263B ,2021-08-13

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