典型MOS晶体管噪声模型的建模方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910053012.X

申请日：

2009-06-12

公开(公告)号：

CN101650755A

公开(公告)日：

2010-02-17

发明(设计)人：

路向党

申请人：

申请人地址：

201203上海市张江高科技圆区郭守敬路818号

IPC主分类号：

G06F1750

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）

代理人：

郑玮

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101535412422 IPC(主分类):G06F 17/50 专利申请号:200910053012X 申请公布日:20100217
2011-07-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101087117022 IPC(主分类):G06F 17/50 专利申请号:200910053012X 申请日:20090612
2010-02-17	公开	公开

共 50 条

[1]

MOS晶体管失配模型的建模方法 [P].

武思凤 .

中国专利 :CN115600536A ,2023-01-13

[2]

MOS晶体管PSP失配模型的建模方法 [P].

石艳玲 ;

周卉 ;

李曦 ;

孙立杰 ;

任铮 ;

胡少坚 ;

陈寿面 .

中国专利 :CN102968538A ,2013-03-13

[3]

MOS晶体管电学统计模型的快速建模方法 [P].

周天舒 .

中国专利 :CN101196936B ,2008-06-11

[4]

MOS晶体管以及制造MOS晶体管的方法 [P].

斯蒂芬·约·塞西尔·亨利·特厄乌文 ;

约翰内斯·阿德里安努斯·马里亚·德博特 ;

约斯·克拉佩 .

中国专利 :CN101326643B ,2008-12-17

[5]

MOS晶体管的制作方法及MOS晶体管 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN105529265A ,2016-04-27

[6]

MOS晶体管工艺角SPICE模型的建模方法 [P].

任铮 ;

胡少坚 ;

周伟 ;

唐逸 ;

彭兴伟 .

中国专利 :CN102081686B ,2011-06-01

[7]

MOS晶体管 [P].

G·M·格利瓦纳 .

中国专利 :CN207217541U ,2018-04-10

[8]

晶体管模型和建模方法 [P].

谭福生 ;

汪轶 ;

邢静文 ;

马滔 .

中国专利 :CN119323201A ,2025-01-17

[9]

MOS晶体管 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN206003781U ,2017-03-08

[10]

MOS晶体管 [P].

郑仲馗 ;

尹彬锋 .

中国专利 :CN114334954A ,2022-04-12

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