一种芯片逆变器用低损耗铁镍软磁粉心的制备方法

被引：0

申请号：

CN202210363242.1

申请日：

2022-04-07

公开(公告)号：

CN114664554A

公开(公告)日：

2022-06-24

发明(设计)人：

汤凤林

申请人：

申请人地址：

225200 江苏省扬州市江都区文昌东路1449号

IPC主分类号：

H01F4102

IPC分类号：

H01F1147 H01F27255 H01F2734

代理机构：

安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101

代理人：

乔恒婷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01F 41/02 申请日:20220407
2022-06-24	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高出粉率低损耗26μ铁硅软磁粉心的制备方法 [P].

汤凤林 ;

杜晓东 ;

李亚 .

中国专利 :CN115106522A ,2022-09-27

[2]

一种超低损耗铁硅铝软磁粉心的制备方法 [P].

汤凤林 .

中国专利 :CN114613565A ,2022-06-10

[3]

一种低损耗铁硅铝软磁粉心及其制备方法 [P].

汤凤林 ;

裴晓东 ;

骆艳华 ;

王凡 .

中国专利 :CN111696747A ,2020-09-22

[4]

一种低损耗铁硅钛软磁粉心的制备方法 [P].

汤凤林 ;

杜晓东 .

中国专利 :CN119419057A ,2025-02-11

[5]

一种低损耗铁硅铝基复合软磁粉心的制备方法 [P].

汤凤林 .

中国专利 :CN114551021A ,2022-05-27

[6]

一种低损耗铁镍钼磁粉芯及其制备方法 [P].

刘立新 .

中国专利 :CN116206840B ,2024-01-30

[7]

一种复合铁硅铝软磁粉心及其制备方法 [P].

汤凤林 ;

裴晓东 ;

骆艳华 ;

李昕 .

中国专利 :CN111696745A ,2020-09-22

[8]

一种低损耗高饱和铁镍软磁粉末及制备方法 [P].

柯昕 ;

张尚野 ;

潘阳阳 ;

方扬鑫 ;

董振华 .

中国专利 :CN120205825A ,2025-06-27

[9]

高叠加低损耗铁硅铝金属软磁粉及其制备方法 [P].

姚国忠 ;

蔡广开 ;

赵玉程 .

中国专利 :CN121034793A ,2025-11-28

[10]

一种高出粉率、低磁导率铁硅铝软磁粉心的制备方法 [P].

汤凤林 ;

杜晓东 ;

李亚 .

中国专利 :CN114999760A ,2022-09-02

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