一种抑制负向驱动电压尖峰的MOS管驱动电路

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201821219164.3

申请日：

2018-07-27

公开(公告)号：

CN208623641U

公开(公告)日：

2019-03-19

发明(设计)人：

柳树渡李茂华孙志新

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市宝安区石岩街道塘头社区塘头1号路领亚工业园1号厂房一层

IPC主分类号：

H03K17081

IPC分类号：

H03K1760 H03K1774

代理机构：

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法律状态：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-19	授权	授权

共 50 条

[1]

一种抑制负向驱动电压尖峰的MOS管驱动电路 [P].

柳树渡 ;

李茂华 ;

孙志新 .

中国专利 :CN108649938A ,2018-10-12

[2]

一种抑制负向驱动电压尖峰的MOS管驱动电路 [P].

柳树渡 ;

李茂华 ;

孙志新 .

中国专利 :CN108649938B ,2024-08-30

[3]

一种抑制驱动电压尖峰的MOS管驱动电路 [P].

柳树渡 ;

李茂华 ;

孙志新 .

中国专利 :CN208656632U ,2019-03-26

[4]

一种抑制驱动电压尖峰的MOS管驱动电路 [P].

柳树渡 ;

李茂华 ;

孙志新 .

中国专利 :CN109004813A ,2018-12-14

[5]

抑制驱动电压尖峰的MOSfet管驱动电路 [P].

肖志强 .

中国专利 :CN118554926A ,2024-08-27

[6]

一种驱动尖峰电压抑制电路 [P].

黎香壮 ;

吴淑良 ;

唐益宏 ;

刘凯 .

中国专利 :CN103296875B ,2013-09-11

[7]

推挽MOS管电压尖峰抑制电路 [P].

朱海东 .

中国专利 :CN106329900A ,2017-01-11

[8]

一种MOS管驱动电路 [P].

刘志贤 ;

欧阳明高 ;

滕景龙 ;

聂敬礼 ;

王瑛 ;

裴凤仙 ;

唐怀刚 ;

葛燕 .

中国专利 :CN201403045Y ,2010-02-10

[9]

一种抑制驱动电压震荡的MOS管电路 [P].

付战超 ;

张强 ;

佟天野 .

中国专利 :CN218387463U ,2023-01-24

[10]

一种检测与抑制MOS关断电压尖峰的驱动电路 [P].

朱梓悦 ;

龚春英 ;

秦海鸿 ;

储开斌 .

中国专利 :CN118748554A ,2024-10-08

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