发光二极管封装结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201020235812.1

申请日：

2010-06-24

公开(公告)号：

CN201853738U

公开(公告)日：

2011-06-01

发明(设计)人：

陈烱勋

申请人：

申请人地址：

333400 江西省景德镇市浮梁县陶瓷工业园区外环路

IPC主分类号：

H01L3348

IPC分类号：

H01L3356 H01L2513 F21S200 F21Y10102

代理机构：

北京华夏博通专利事务所 11264

代理人：

刘俊

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-06-06	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101368327680 IPC(主分类):H01L 33/48 专利号:ZL2010202358121 变更事项:专利权人变更前权利人:景德镇正宇奈米科技有限公司变更后权利人:九江正展光电有限公司变更事项:地址变更前权利人:333400 江西省景德镇市浮梁县陶瓷工业园区外环路变更后权利人:332000 九江出口加工区亚洲南路瀚森科技园3#厂房登记生效日:20120425
2011-06-01	授权	授权
2014-08-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101584401344 IPC(主分类):H01L 33/48 专利号:ZL2010202358121 申请日:20100624 授权公告日:20110601 终止日期:20130624

共 50 条

[1]

发光二极管封装结构 [P].

王振益 .

中国专利 :CN201887084U ,2011-06-29

[2]

发光二极管封装结构以及发光二极管灯泡 [P].

蓝培轩 ;

郑子淇 .

中国专利 :CN205657084U ,2016-10-19

[3]

发光二极管封装结构 [P].

詹国光 .

中国专利 :CN201975422U ,2011-09-14

[4]

发光二极管封装结构 [P].

柏玲 ;

布占场 ;

颜凯 ;

金雄 .

中国专利 :CN204029864U ,2014-12-17

[5]

发光二极管封装结构 [P].

唐怀 .

中国专利 :CN202523751U ,2012-11-07

[6]

发光二极管封装结构 [P].

李允立 ;

陈正言 ;

许国君 ;

苏柏仁 ;

孙圣渊 .

中国专利 :CN203150540U ,2013-08-21

[7]

发光二极管封装结构 [P].

唐怀 .

中国专利 :CN202523752U ,2012-11-07

[8]

发光二极管封装结构 [P].

罗锦长 .

中国专利 :CN202423375U ,2012-09-05

[9]

发光二极管封装结构 [P].

郭邦俊 ;

刘江云 ;

范雅俊 ;

楼满娥 .

中国专利 :CN2752964Y ,2006-01-18

[10]

发光二极管封装结构 [P].

吴宗泽 ;

吴协展 ;

苏柏仁 ;

廖冠咏 ;

许国君 .

中国专利 :CN104425474A ,2015-03-18

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