二次电池及其制造方法

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申请号
CN202080071981.2
申请日
2020-11-23
公开(公告)号
CN114556666A
公开(公告)日
2022-05-27
发明(设计)人
崔舜炯 崔桐仁
申请人
申请人地址
韩国首尔
IPC主分类号
H01M1042
IPC分类号
H01M1004 H01M1044 H01M5010 H01M5060
代理机构
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
代理人
徐金国
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
二次电池及其制造方法 [P]. 
崔舜炯 ;
崔桐仁 .
韩国专利 :CN114556666B ,2024-02-09
[2]
二次电池的制造方法 [P]. 
林太燮 ;
柳志勋 ;
金帝映 ;
金东规 ;
尹汝敏 .
韩国专利 :CN118476078A ,2024-08-09
[3]
二次电池的制造方法 [P]. 
尹汝敏 ;
金帝映 ;
柳志勋 ;
金东规 ;
林太燮 .
韩国专利 :CN118511354A ,2024-08-16
[4]
二次电池的制造方法 [P]. 
林太燮 ;
柳志勋 ;
金帝映 ;
金东规 ;
尹汝敏 ;
申元景 .
韩国专利 :CN118511352A ,2024-08-16
[5]
锂二次电池及其制造方法 [P]. 
金宰敏 ;
魏连花 ;
金昌镐 ;
金贤辰 ;
金善郁 .
韩国专利 :CN119585910A ,2025-03-07
[6]
制造二次电池的方法和二次电池 [P]. 
车仁英 .
中国专利 :CN113767515A ,2021-12-07
[7]
制造二次电池的方法和二次电池 [P]. 
车仁英 .
韩国专利 :CN113767515B ,2024-02-23
[8]
二次电池及制造该二次电池的方法 [P]. 
都珍旭 ;
李帝俊 ;
郑湘锡 ;
赵敏起 .
中国专利 :CN109845014A ,2019-06-04
[9]
二次电池和用于制造二次电池的方法 [P]. 
诸葛钟必 ;
姜孝锡 .
中国专利 :CN113270654A ,2021-08-17
[10]
制造二次电池的方法和制造二次电池的设备 [P]. 
催贤俊 ;
崔淳柱 ;
金锡九 ;
金荣德 ;
金大洙 .
中国专利 :CN114503323A ,2022-05-13