闪速存储器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610142560.6

申请日：

2006-10-30

公开(公告)号：

CN100550351C

公开(公告)日：

2007-10-03

发明(设计)人：

申承佑

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L218247

IPC分类号：

H01L21336 H01L2128

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-10-03	公开	公开
2014-12-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101591991224 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利号:ZL2006101425606 申请日:20061030 授权公告日:20091014 终止日期:20131030
2007-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-10-14	授权	授权

共 50 条

[1]

闪速存储器件 [P].

张郑烈 .

中国专利 :CN101140876A ,2008-03-12

[2]

闪速存储器件 [P].

张郑烈 .

中国专利 :CN101140877A ,2008-03-12

[3]

闪速存储器件的栅极的形成方法 [P].

郑哲谟 ;

赵挥元 ;

金正根 ;

明成桓 .

中国专利 :CN101097859A ,2008-01-02

[4]

制造闪速存储器件的方法 [P].

韩景植 ;

朴相昱 ;

金相德 .

中国专利 :CN100390962C ,2006-11-08

[5]

闪速存储器件的制造方法 [P].

光平规之 .

中国专利 :CN1505134A ,2004-06-16

[6]

制造闪速存储器件的方法 [P].

任贤珠 .

中国专利 :CN101335246A ,2008-12-31

[7]

闪速存储器件及其制造方法 [P].

朴真何 .

中国专利 :CN101355055A ,2009-01-28

[8]

制造NAND闪速存储器件的方法 [P].

严在哲 ;

金南经 .

中国专利 :CN100541764C ,2007-07-11

[9]

闪速存储器件的制造方法 [P].

赵敏局 ;

金种五 .

中国专利 :CN1085412C ,1998-03-25

[10]

制造非易失性存储器件的方法 [P].

崔元烈 .

中国专利 :CN100511650C ,2007-11-28

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