烷基卤代硅烷的直接合成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811309669.3

申请日：

2012-12-18

公开(公告)号：

CN109627257A

公开(公告)日：

2019-04-16

发明(设计)人：

C·罗希尔

申请人：

申请人地址：

法国里昂

IPC主分类号：

C07F712

IPC分类号：

C07F716

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

张力更

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-16	公开	公开
2019-05-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C07F 7/12 申请日:20121218

共 50 条

[1]

烷基卤代硅烷的直接合成方法 [P].

C·罗希尔 .

中国专利 :CN104105543A ,2014-10-15

[2]

烷基卤代硅烷的直接合成法 [P].

P·科兰 ;

C·加西亚－埃斯科梅尔 ;

J－C·马斯托 .

中国专利 :CN101341159A ,2009-01-07

[3]

烷基卤代硅烷的直接合成方法 [P].

P·科林 .

中国专利 :CN1890251A ,2007-01-03

[4]

用于直接合成烷基卤代硅烷的催化体系和方法 [P].

P·柯林 .

中国专利 :CN1735623A ,2006-02-15

[5]

用于直接合成烷基卤代硅烷的基于铜、磷和碱金属的催化组合物 [P].

P·柯林 .

中国专利 :CN1735622A ,2006-02-15

[6]

生产烷基卤代硅烷的方法 [P].

M·-S·斯坦纳 ;

B·迪根 ;

G·维格纳 ;

E·利彻 ;

M·舒尔泽 .

中国专利 :CN1166492A ,1997-12-03

[7]

制备烷基卤代硅烷的方法 [P].

H·汉奥卡 ;

E·奥塔尼 ;

H·科雅马 ;

L·N·路易斯 ;

D·C·德穆皮德 ;

J·M·巴布林 .

中国专利 :CN1264849C ,2000-12-13

[8]

烯基卤代硅烷的经改善的直接合成 [P].

K·刘易斯 ;

Y·朱 ;

C·M·伯恩 .

美国专利 :CN121127478A ,2025-12-12

[9]

烷基卤代硅烷的制备方法 [P].

M－S·斯坦纳 ;

B·德根 ;

R·韦伯 .

中国专利 :CN1181384A ,1998-05-13

[10]

制备烷基卤代硅烷的方法 [P].

L·N·路易斯 ;

A·C·克劳福德 .

中国专利 :CN1820014A ,2006-08-16

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