一种基于TiNi形状记忆合金薄膜的可动态调控的多功能太赫兹超材料器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202011495226.5
申请日
2020-12-17
公开(公告)号
CN112701490B
公开(公告)日
2021-04-23
发明(设计)人
张琨 谭昌龙 刘娟 田晓华 黄跃武 赵文彬
申请人
申请人地址
150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号
IPC主分类号
H01Q1500
IPC分类号
代理机构
哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109
代理人
李红媛
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种基于Ni-Mn-Sn形状记忆合金薄膜的多功能太赫兹超材料吸收器 [P]. 
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谭昌龙 ;
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[2]
一种基于Ni-Mn-Sn形状记忆合金的多功能太赫兹超材料偏振转换器件 [P]. 
张琨 ;
王晓川 ;
谭昌龙 ;
田晓华 .
中国专利 :CN114927878A ,2022-08-19
[3]
一种基于Ni-Mn-Sn形状记忆合金的多功能太赫兹超材料偏振转换器件 [P]. 
张琨 ;
王晓川 ;
谭昌龙 ;
田晓华 .
中国专利 :CN114927878B ,2024-10-01
[4]
基于anapole模式的可动态调控的石墨烯超材料太赫兹器件及其制备方法与应用 [P]. 
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刘笑宇 ;
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[5]
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田玲 ;
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[6]
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崔子健 ;
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陈素果 ;
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[7]
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[8]
一种双电容太赫兹超材料电调控器件结构 [P]. 
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中国专利 :CN112382859A ,2021-02-19
[9]
基于二氧化钒的多功能主动调控太赫兹器件 [P]. 
欧阳春梅 ;
刘石磊 ;
韩家广 ;
田震 ;
谷建强 ;
许全 ;
张伟力 .
中国专利 :CN114488575B ,2024-01-02
[10]
基于二氧化钒的多功能主动调控太赫兹器件 [P]. 
欧阳春梅 ;
刘石磊 ;
韩家广 ;
田震 ;
谷建强 ;
许全 ;
张伟力 .
中国专利 :CN114488575A ,2022-05-13