ZnS纳米材料阵列的简单制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201210394945.7
申请日
2012-10-17
公开(公告)号
CN102874865A
公开(公告)日
2013-01-16
发明(设计)人
武祥 贾薇娜
申请人
申请人地址
150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区和兴路50号
IPC主分类号
C01G908
IPC分类号
B82Y3000 B82Y4000
代理机构
哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109
代理人
韩末洙
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种ZnS纳米材料的制备方法 [P]. 
张冬 ;
刘家安 ;
陈浩宇 ;
张梓敏 ;
张志龙 ;
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[2]
ZnS/GO多孔微球纳米材料的制备方法和应用 [P]. 
李羚玮 ;
薛绍林 ;
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[3]
ZnO/ZnS异质结构纳米锥阵列的制备方法 [P]. 
张喜田 ;
陈美陆 ;
温静 ;
武立立 ;
牟洪臣 .
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[4]
高度取向直径可调ZnS纳米棒阵列的溶剂热制备方法 [P]. 
杨合情 ;
王新悦 ;
张丽惠 ;
王学文 ;
余杰 ;
张丽娜 ;
田莎 .
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[5]
ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法 [P]. 
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[6]
一种高效降解染料的纳米材料的制备方法 [P]. 
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杨宏涛 ;
肖巍 ;
邓莹 ;
于泓 .
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[7]
二氧化锡纳米线修饰的三氧化二铁纳米棒阵列的制备方法 [P]. 
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王庆国 ;
王平平 ;
曲兆明 ;
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[8]
基于ZnS的针状纳米结构的制备方法 [P]. 
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[9]
高压制备氮化铟纳米晶粉体材料的方法 [P]. 
张剑 ;
汤顺熙 ;
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[10]
纳米结构阵列材料及其制备方法 [P]. 
谈嘉慧 ;
陈之战 ;
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中国专利 :CN104118843A ,2014-10-29