多晶硅铸锭免喷涂熔融石英坩埚的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110118010.1

申请日：

2011-05-08

公开(公告)号：

CN102219360A

公开(公告)日：

2011-10-19

发明(设计)人：

方清

申请人：

申请人地址：

212218 江苏省镇江市扬中市油坊镇明珠路1号

IPC主分类号：

C03B2000

IPC分类号：

C03C1722 C30B2906 C30B2806

代理机构：

南京天华专利代理有限责任公司 32218

代理人：

徐冬涛

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-09	授权	授权
2011-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101145710633 IPC(主分类):C03B 20/00 专利申请号:2011101180101 申请日:20110508
2011-10-19	公开	公开

共 50 条

[1]

多晶硅铸锭用免喷涂熔融石英坩埚的制造方法 [P].

方清 .

中国专利 :CN102249523A ,2011-11-23

[2]

用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法 [P].

方清 .

中国专利 :CN102225837B ,2011-10-26

[3]

用于多晶硅铸锭的高纯免喷涂熔融石英坩埚的制造方法 [P].

季勇升 .

中国专利 :CN104803610A ,2015-07-29

[4]

用于多晶硅铸锭的高效免喷涂熔融石英坩埚的制造方法 [P].

季勇升 .

中国专利 :CN105645782A ,2016-06-08

[5]

多晶硅铸锭后熔融石英坩埚碎片再生方法 [P].

李帅 ;

赵百通 ;

高文秀 .

中国专利 :CN103964677B ,2014-08-06

[6]

多晶硅铸锭用氮化硅结合熔融石英坩埚的制备方法 [P].

姜欣 ;

王刚 ;

王自强 ;

王冬冬 ;

周慧君 .

中国专利 :CN105541311B ,2016-05-04

[7]

多晶硅铸锭坩埚喷涂免烧结方法 [P].

熊涛涛 ;

马良 ;

印亚峰 ;

刘瑞柱 ;

王俊涛 .

中国专利 :CN102367572B ,2012-03-07

[8]

一种用于多晶硅铸锭的熔融石英坩埚 [P].

方青 .

中国专利 :CN102153271A ,2011-08-17

[9]

一种用于多晶硅铸锭的熔融石英坩埚的制备方法 [P].

方青 .

中国专利 :CN101988214A ,2011-03-23

[10]

一种多晶硅铸锭用熔融石英坩埚及其制备方法 [P].

穆荣升 ;

龙立华 ;

付阔 ;

许丽丽 ;

吴允辉 ;

郭大为 .

中国专利 :CN108374196B ,2018-08-07

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