发光二极管芯片

被引:0
专利类型
外观设计
申请号
CN201130019619.4
申请日
2011-01-31
公开(公告)号
CN301722085S
公开(公告)日
2011-11-09
发明(设计)人
张昊翔 金豫浙 王洋 李东昇 江忠永
申请人
申请人地址
310018 浙江省杭州市经济技术开发区东区10号路300号
IPC主分类号
2604
IPC分类号
代理机构
杭州求是专利事务所有限公司 33200
代理人
韩介梅
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
发光二极管芯片 [P]. 
叶慧君 ;
杨智咏 ;
沈建赋 ;
柯淙凯 .
中国专利 :CN304158563S ,2017-06-06
[2]
发光二极管芯片 [P]. 
冯辉庆 .
中国专利 :CN303051732S ,2014-12-24
[3]
发光二极管芯片 [P]. 
徐盛海 ;
金迎春 ;
徐瑾 .
中国专利 :CN303442172S ,2015-11-11
[4]
发光二极管芯片 [P]. 
黄庆 ;
欧秀玲 ;
王亚宏 ;
章旋 ;
梁志阳 .
中国专利 :CN306673056S ,2021-07-09
[5]
发光二极管芯片 [P]. 
村本卫司 .
中国专利 :CN302737523S ,2014-02-12
[6]
发光二极管芯片 [P]. 
周怡君 ;
周理评 ;
陈复邦 ;
张智松 .
中国专利 :CN302308839S ,2013-01-30
[7]
发光二极管芯片 [P]. 
邱柏顺 ;
廖健智 ;
王心盈 ;
柯淙凯 .
中国专利 :CN304048428S ,2017-02-15
[8]
发光二极管芯片 [P]. 
吴珊 ;
赵进超 ;
李超 ;
李东昇 .
中国专利 :CN306059382S ,2020-09-18
[9]
发光二极管芯片 [P]. 
叶慧君 ;
杨智咏 ;
沈建赋 ;
柯淙凯 .
中国专利 :CN304034111S ,2017-02-08
[10]
发光二极管芯片 [P]. 
魏守勤 .
中国专利 :CN304764117S ,2018-08-07