高断裂伸长率耐电晕聚酰亚胺膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110531416.6

申请日：

2021-05-17

公开(公告)号：

CN113354847A

公开(公告)日：

2021-09-07

发明(设计)人：

王炳洋陈国飞方省众巴玉霞

申请人：

申请人地址：

257000 山东省东营市东营区大渡河路167号

IPC主分类号：

C08J518

IPC分类号：

C08L7908 C08K322 C08K336

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C08J 5/18 申请日:20210517
2021-09-07	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高断裂伸长率耐电晕聚酰亚胺膜的制备方法 [P].

陈汉城 ;

林杰生 ;

王毅刚 ;

王桂彬 ;

杨如娥 .

中国专利 :CN114249914A ,2022-03-29

[2]

一种高断裂伸长率的聚酰亚胺膜的制备方法 [P].

方省众 ;

张湲茗 ;

陈国飞 ;

王炳洋 .

中国专利 :CN112961348B ,2021-06-15

[3]

高强高断裂伸长率聚酰亚胺纤维及其制备方法 [P].

陈雪 ;

崔晶 ;

孙旭阳 ;

刘京妮 .

中国专利 :CN112226842A ,2021-01-15

[4]

一种高断裂伸长率低热膨胀系数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用 [P].

李月蓉 ;

娜菲莎·穆什塔奇 ;

谭丽芸 ;

宁开凤 ;

方省众 ;

陈国飞 .

中国专利 :CN118165262A ,2024-06-11

[5]

耐电晕聚酰亚胺膜及其制备工艺 [P].

周天兴 ;

周慰嘉 .

中国专利 :CN102732032A ,2012-10-17

[6]

一种高断裂伸长率的正性光敏聚酰亚胺组合物及其应用 [P].

张萌鑫 ;

韩翠婷 ;

么传旭 ;

陈彦平 ;

陈冶 ;

舒国玉 ;

王莎 ;

臧圣彪 ;

王海梅 .

中国专利 :CN119596640A ,2025-03-11

[7]

高断裂伸长率聚氨酯树脂的制备方法 [P].

纪尚超 ;

徐欣欣 ;

石磊 ;

息锁柱 ;

李寿伟 ;

赵磊 ;

裴晓英 .

中国专利 :CN102911332A ,2013-02-06

[8]

一种具有高强度和高断裂伸长率的聚酰亚胺及其制备方法与应用 [P].

彭懋 ;

金叶伟 .

中国专利 :CN118290736A ,2024-07-05

[9]

一种高断裂伸长率氯化聚乙烯的制备方法 [P].

谭莹 ;

谭金平 ;

潘学良 ;

潘映旭 ;

夏光明 ;

庞松强 ;

蒋建林 ;

张佃群 .

中国专利 :CN118459902B ,2024-09-27

[10]

一种高断裂伸长率氯化聚乙烯的制备方法 [P].

谭莹 ;

谭金平 ;

潘学良 ;

潘映旭 ;

夏光明 ;

庞松强 ;

蒋建林 ;

张佃群 .

中国专利 :CN118459902A ,2024-08-09

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